英飛凌EasyDUAL™和EasyPACK™ 2B 2kV、6mΩ半橋和三電平模組採用CoolSiC™ SiC MOSFET增強型1代M1H晶片，整合NTC溫度感測器，PressFIT接點技術和氮化鋁陶瓷DCB。目標應用直流-直流變換器，電動車充電，太陽能和儲能系統等。
產品型號：
■ FF6MR20W2M1HB70
■ F3L6MR20W2M1HB70
03
Jun . 2025
新品 | 採用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC™ 2kV SiC MOSFET模組
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產品特點
- 同類最佳封裝，高度為12毫米
- 先進的WBG材料
- 模組雜散電感極低
- 柵極源電壓範圍寬
- 開關和導同損耗低
- 過載運轉溫度最高可達175°C
應用價值
- 提高系統效率
- 降低冷卻要求
- 實現更高頻率
- 提高功率密度
- 緊湊型設計
- 與1500V直流母線完美匹配
競爭優勢
- 擴展2kV產品組合，為客戶提供可擴展的解決方案，滿足更高的應用要求
- 新模組配備了最新的高性能陶瓷(AlN)DCB，有助於延長系統使用壽命和/或支援更高的額定功率
應用領域
- 直流-直流變換器
- 電動車充電
- 太陽能
- 儲能系統
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文章來源：英飛凌工業半導體