英飛淩的650V、1200V多種特性的IGBT7產品全面上市，將全面替代上一代產品。 更好的特性和更大的電流規格，拓展了應用場景，頻率範圍和系統功率等級。

這些晶元是基於12吋晶圓開發和生產的，生產基地在德國的德累斯頓和奧地利。

2022財年財報中宣佈英飛淩德累斯頓的新廠投資，計劃繼續擴大其300毫米晶圓製造能力，以滿足預期的類比/混合信號和功率半導體加速增長的需求。 該工廠計劃總投資50億歐元，是英飛凌歷史上最大的單筆投資。 因此，這也將增強英飛凌作為一家全球功率系統半導體領導企業的地位。

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