第二代750V CoolSiC™ MOSFET憑藉著成熟的閘極氧化層技術，在抗寄生導通方面展現出業界領先的可靠性。該元件在圖騰柱、主動中性點箝位（ANPC）、維也納整流器和飛跨電容（FCC）等硬開關拓撲中表現卓越。更值得注意的是，第二代產品顯著降低了輸出電容（Coss），使其在循環變流器、CLLC、雙主動橋（DAB）和LLC等軟開關拓撲中能實現更高頻率的開關操作。
第二代CoolSiC™ MOSFET 750V完美適用於對可靠性、功率密度和效率有嚴格要求的應用，包括：車載充電器、DC-DC變換器、DC-AC逆變器，以及人工智能伺服器、太陽能逆變器和電動汽車充電設備。其所採用的Q-DPAK封裝既能充分發揮碳化矽固有的高速開關特性，同時確保約20W的功率耗散能力。
產品型號：
■ AIMDQ75R016M2H
■ AIMDQ75R025M2H
■ AIMDQ75R060M2H
■ IMDQ75R004M2H
■ IMDQ75R007M2H
■ IMDQ75R016M2H
■ IMDQ75R025M2H
■ IMDQ75R060M2H
