Jul . 2024
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1 Mb F-RAM
2 Mb F-RAM
太空應用是英飛凌科技股份公司的重要領域。英飛凌的產品被用於衛星、火星探測器儀器、太空望遠鏡等，即便在極端惡劣的條件下，這些應用也必須具備出色的可靠性。全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌近日推出業界首款抗輻射（rad hard）1 Mb和2 Mb並行介面鐵電RAM（F-RAM）非揮發性記憶體。這款記憶體是英飛凌豐富記憶體產品組合中的新成員，其特點是具有出色的可靠性和耐用性，在85攝氏度條件下的資料保存期長達120 年，並且能以總線速度進行隨機存取和全記憶體寫入。
英飛凌F-RAM記憶體具有固有的抗輻射性能，該技術非常適合滿足太空應用不斷發展的任務要求，而這些應用歷來使用的是速度較慢、不太堅固的EEPROM非揮發性記憶體。與同類產品相比，英飛凌產品的特點包括：更快的記憶體隨機存取速度；通過採用即時非揮發性寫入技術提高資料安全性；低功耗、極低的程式電壓（低至2V）以及20 mA最大工作電流。
隨著越來越多的太空應用被設計成在系統端處理資料，而不是通過遙測技術將資料傳輸到地面進行處理，因此對高可靠性非揮發性記憶體的需求會不斷增加，以配合太空級處理器與FPGA實現資料記錄應用。英飛凌於2022年在該市場推出了首款SPI F-RAM記憶體。此次推出平行介面記憶體體現了我們致力於為新一代太空需求提供一流的、高度可靠且靈活的解決方案。
Helmut Puchner
英飛凌科技航空航太與國防業務副總裁兼研究員
英飛凌抗輻射F-RAM記憶體的目標應用包括感測器與儀器的資料儲存、校準資料的資料記錄、適用於資料加密的安全金鑰存儲，以及啟動程式碼存儲等。除外太空應用，這款記憶體也適用於航空電子等應用的溫度要求（-55°C 至 125°C）。
與SPI版本一樣，英飛凌新推出的平行介面F-RAM記憶體透過其化學成分獲得了出色的非揮發性記憶體特性，例如用原子態瞬時切換取代了EEPROM技術中的捕獲電荷至程式位元。 F-RAM本身不受軟體錯誤、磁場或輻射效應影響，且無需軟體來管理頁面邊界。其接近無限的耐用性（1013個寫入週期）意味著不需要損耗均衡。
該並行記憶體採用44引線陶瓷TSOP封裝並且通過QML-V認證，具有優異的抗輻射性能：
抗輻射F-RAM非揮發性記憶體產品組合現已全面上市，包括2 Mb SPI記憶體以及1 Mb和2 Mb並行記憶體。了解更多信息，點擊訪問
文章來源：英飛凌官微
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