下一代太空級系統的設計者對高可靠性、高密度記憶體的需求不斷增長。我們與英飛凌、Micro-RDC等產業領導者合作，共同開發出一種集高密度、高資料傳輸速率與優於替代品的輻射性能於一身的技術解決方案。

英飛凌的抗輻射加強設計NOR快閃記憶體很好地補充了Micro-RDC的極端應用環境解決方案系列。隨著512 Mbit密度元件的推出，設計者得以設計出性能卓越的系統，以滿足比以往更廣泛任務類型的嚴格要求。

此次英飛凌512 Mbit NOR快閃記憶體家族擴展到抗輻射加固記憶體產品組合，進一步證明了我們致力於提供高度可靠的高效能記憶體來滿足下一代太空需求。與AFRL和Micro-RDC的合作推動了業界領先技術的發展，通過採用提高關鍵衛星功能性能的技術，來應對太空應用中遇到的極端環境。

英飛凌的SONOS技術獨特地結合了密度和速度，以及先進的輻射性能，具有高達10000P/E的出色耐用性和長達10年的資料保存期。該產品的133MHz QSPI介面為太空級FPGA和處理器提供了高資料傳輸速率，並採用佔板面積1”x1”的陶瓷QFP（QML-V），以及佔板面積較小的0.5”x0.8 」塑膠TQFP（QML-P）兩種封裝。此外，該元件還為太空FPGA引導程式碼解決方案提供了最高密度的TID/SEE效能組合。其QML-V/P封裝獲得DLAM認證，能夠滿足最嚴格的產業資格認證要求。

該元件的典型用例包括太空級FPGA的配置映像儲存和太空級多核心處理器的獨立啟動程式碼儲存。

供貨情況

新型英飛凌512 Mbit QML認證NOR快閃記憶體現已上市。點擊此處，了解更多。

文章來源：英飛凌官微