【2023年11月29日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)近日宣布其CoolSiC™ 1200V和2000V MOSFET模組系列新添全新工業標準封裝產品。 其採用新推出的增強型M1H碳化矽(SiC)MOSFET晶片,採用成熟的62mm封裝的半橋模組。 該封裝使SiC MOSFET能夠應用於250kW以上的中等功率等級應用,而傳統IGBT矽技術在此功率等級所應用的功率密度已達極限值。 相較於傳統的62mm IGBT模組,其應用範圍現已擴展至太陽能、伺服器、儲能、電動車充電樁、牽引、商用感應電磁爐和功率變換系統等。
Dec . 2023
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英飛凌推出採用62mm封裝的CoolSiC™ MOSFET產品組合
增強型M1H晶片技術顯著拓寬了閘極電壓窗口,即使在高開關頻率下,不需任何限制,也能確保閘極應對驅動器和佈局引起的感應電壓尖峰時的高可靠性。 此外,極低的開關損耗和導通損耗可以最大限度地降低散熱需求。 2000V的電壓等級,滿足現代系統設計中的高耐壓需求。 借助英飛凌CoolSiC™晶片技術,變換器的設計可以變得更有效率,單一逆變器的額定功率得以進一步提高,從而降低整體系統成本。
62mm採用銅基板設計和螺母功率端子,該封裝是高穩健性的結構設計,可提高系統可用性、降低服務成本和減少停機損失。 透過強大的溫度週次能力和150°C的連續運轉結溫(Tvjop)實現出色的可靠性。 其對稱的內部封裝設計使得橋臂中上下管具有相同的開關條件。 可選配預塗熱界面材料(TIM),進一步提升模組的熱性能。
供貨情況
採用62mm封裝的1200V CoolSiC™ MOSFET有5mΩ/180A、2mΩ/420A和1mΩ/560A三種型號可供選擇。 2000V產品組合將包含3.5mΩ/300A和2.6mΩ/400A兩種型號。 1200V/3mΩ和2000V/5mΩ型號將於2024年第一季推出。 此系列產品還有用於評估模組高速特性(雙脈衝/連續工作)的評估板可供選擇。 為了方便使用,此評估板還提供可靈活調整的閘極電壓和閘極電阻,同時也可作為大量生產驅動板的參考設計使用。 想了解更多信息,請掃描下方二維碼點擊“閱讀原文”。

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文章來源:英飛凌工業半導體