【2023年11月29日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC™ 1200V和2000V MOSFET模組系列新添全新工業標準封裝產品。 其採用新推出的增強型M1H碳化矽（SiC）MOSFET晶片，採用成熟的62mm封裝的半橋模組。 該封裝使SiC MOSFET能夠應用於250kW以上的中等功率等級應用，而傳統IGBT矽技術在此功率等級所應用的功率密度已達極限值。 相較於傳統的62mm IGBT模組，其應用範圍現已擴展至太陽能、伺服器、儲能、電動車充電樁、牽引、商用感應電磁爐和功率變換系統等。
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Dec . 2023
英飛凌推出全新62mm封裝CoolSiC™產品組合，協助實現更高效率與功率密度
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英飛凌推出採用62mm封裝的CoolSiC™ MOSFET產品組合
增強型M1H晶片技術顯著拓寬了閘極電壓窗口，即使在高開關頻率下，不需任何限制，也能確保閘極應對驅動器和佈局引起的感應電壓尖峰時的高可靠性。 此外，極低的開關損耗和導通損耗可以最大限度地降低散熱需求。 2000V的電壓等級，滿足現代系統設計中的高耐壓需求。 借助英飛凌CoolSiC™晶片技術，變換器的設計可以變得更有效率，單一逆變器的額定功率得以進一步提高，從而降低整體系統成本。
62mm採用銅基板設計和螺母功率端子，該封裝是高穩健性的結構設計，可提高系統可用性、降低服務成本和減少停機損失。 透過強大的溫度週次能力和150°C的連續運轉結溫（Tvjop）實現出色的可靠性。 其對稱的內部封裝設計使得橋臂中上下管具有相同的開關條件。 可選配預塗熱界面材料（TIM），進一步提升模組的熱性能。
供貨情況
採用62mm封裝的1200V CoolSiC™ MOSFET有5mΩ/180A、2mΩ/420A和1mΩ/560A三種型號可供選擇。 2000V產品組合將包含3.5mΩ/300A和2.6mΩ/400A兩種型號。 1200V/3mΩ和2000V/5mΩ型號將於2024年第一季推出。 此系列產品還有用於評估模組高速特性（雙脈衝/連續工作）的評估板可供選擇。 為了方便使用，此評估板還提供可靈活調整的閘極電壓和閘極電阻，同時也可作為大量生產驅動板的參考設計使用。 想了解更多信息，請掃描下方二維碼點擊“閱讀原文”。
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文章來源：英飛凌工業半導體