作為第三代半導體材料的代表者，氮化鎵(GaN)憑藉其優異的電氣性能、高熱導率、電子飽和率和耐輻射性等特性，引領了全球功率半導體產業革新，隨著氮化鎵科技的不斷成熟和應用領域的不斷拓展，其市場規模正呈現出爆發式成長態勢。英飛凌長期深耕氮化鎵領域，再次推動了氮化鎵革命，率先成功開發出了全球首個300mm氮化鎵(GaN)功率半導體晶圓技術，是全球首家在現有且可擴展的大規模生產環境中掌握這項突破性技術的企業，進一步推動了GaN市場快速成長。

目前，英飛凌全新一代的氮化鎵產品CoolGaN™ G3和CoolGaN™ G5系列震撼來襲！採用英飛凌自主研發的高效能200mm晶圓製程製造，將氮化鎵的應用範圍擴大到40V至700V！快一起來看看吧！

CoolGaN™ G3中壓電晶體

CoolGaN™ G3系列涵蓋60V、80V、100V和120V電壓等級，以及40V雙向開關（BDS）元件，主要針對電機驅動、電信、數據中心、太陽能和消費應用。

CoolGaN™ G5高壓電晶體

CoolGaN™ G5系列基於GIT(Gate Injection Transistor，柵極注入電晶體)技術推出新一代650V電晶體，以及基於G5的IPS驅動產品，適用於消費性、數據中心、工業和太陽能領域的應用。

1. 擁有出色的軟開關和硬開關性能，提供40V、650V和850V電壓的CoolGaN™雙向開關（BDS）。

• CoolGaN™ BDS 650V和850V：採用真正的常閉式單晶片雙向開關，具有四種工作模式。通過使用一個BDS代替四個傳統電晶體，可提高效率、密度和可靠性，使應用能夠從中受益並大幅節省成本
• CoolGaN™ BDS 40V：基於英飛凌肖特基柵極氮化鎵自主技術的常閉單片雙向開關，能阻斷兩個方向的電壓，並且通過單柵極共源極的設計進行了優化，以取代電池供電消費產品中用作斷開開關的背對背MOSFET
• 相較於背對背矽FET，使用40V GaN BDS的優點包括節省50%-75%的PCB面積、降低50%以上的功率損耗，以及減少成本
• 目標應用和市場涵蓋行動裝置USB埠、電池管理系統、逆變器和整流器等

2. 具有無損電流檢測功能，簡化了設計並進一步降低了功率損耗的CoolGaN™智能感應 Smart Sense。

• 2kV的靜電放電耐受能力，可連接到控制器電流感應以實現峰值電流控制和過流保護
• 電流偵測反應時間約200ns，小於等於普通控制器的消隱時間
• 具有極高的兼容性
• 目標應用和市場涵蓋消費性電子設備的充電器和適配器