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May . 2025

新品 | 採用頂部散熱 Q-DPAK封裝的 CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET

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英飛凌採用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET單管,專為各種工業應用開發,包括工業驅動、電動車充電、太陽能,SSCB,人工智慧,不斷電系統和CAV等。


頂部散熱Q-DPAK具有出色的散熱性能,更易於組裝,從而降低了客戶的系統成本。與底部散熱解決方案相比,頂部散熱器可實現更優化的PCB佈局,從而減少寄生元件和寄生電感的影響。同時還能增強散熱能力。


產品型號:

■ IMCQ120R026M2H

■ IMCQ120R034M2H

■ IMCQ120R040M2H

■ IMCQ120R053M2H

■ IMCQ120R078M2H

產品特點

  • SMD頂部散熱封裝
  • 雜散電感低
  • CoolSiC™ MOSFET 1200V G2技術具有最佳化的開關性能和FOM因子
  • .XT擴散焊
  • 最低RDS(on)
  • 封裝材料CTI>600
  • 爬電距離>4.8mm
  • 耐濕性
  • 雪崩保護、短路保護及寄生導通PTO保護

應用價值

  • 更高的功率密度
  • 實現自動裝配
  • 不需要太複雜的設計
  • 與底部散熱封裝相比,具有出色的熱性能
  • 改善系統功率損耗
  • 電壓有效值950V,污染度為2
  • 可靠性高
  • 降低TCO成本或BOM成本

應用領域

  • 電動車充電
  • 太陽能
  • UPS
  • SSCB
  • 工業驅動器
  • 人工智慧
  • CAV


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