
英飛凌採用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET單管,專為各種工業應用開發,包括工業驅動、電動車充電、太陽能,SSCB,人工智慧,不斷電系統和CAV等。
頂部散熱Q-DPAK具有出色的散熱性能,更易於組裝,從而降低了客戶的系統成本。與底部散熱解決方案相比,頂部散熱器可實現更優化的PCB佈局,從而減少寄生元件和寄生電感的影響。同時還能增強散熱能力。
產品型號:
■ IMCQ120R026M2H
■ IMCQ120R034M2H
■ IMCQ120R040M2H
■ IMCQ120R053M2H
■ IMCQ120R078M2H