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Aug . 2025

新品 | 第二代CoolSiC™ MOSFET 1200V Q-DPAK封裝分立元件產品擴展

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CoolSiC™ 1200V MOSFET(頂部散熱Q-DPAK單管封裝)專為工業應用設計,適用於電動車充電、9太陽能、不斷電系統(UPS)、固態斷路器(SSCB)、工業驅動、人工智能(AI)及聯網自動駕駛汽車(CAV)等領域。


Q-DPAK封裝透過簡化組裝流程並維持卓越的散熱性能,幫助客戶降低系統成本。與底部散熱方案相比,頂部散熱器可實現更優化的PCB佈局,從而降低寄生元件和雜散電感的影響,同時提供增強的熱管理性能。


產品型號:

■ IMCQ120R007M2H

■ IMCQ120R010M2H

■ IMCQ120R017M2H

產品特點

  • SMD頂部散熱封裝
  • 低雜散電感設計
  • 採用CoolSiC™ MOSFET 1200V第二代技術,具備增強的開關性能及FOM係數
  • .XT擴散焊
  • 模塑化合物(CTI>600)及模塑槽(CD>4.8mm)
  • 優異的耐濕性能
  • 具備雪崩穩健性、短路耐受能力及功率循環可靠性

應用價值

  • 更高功率密度
  • 支援自動化組裝
  • 簡化設計複雜度
  • 卓越的熱性能表現
  • 降低系統功率損耗
  • 支援950V RMS工作電壓
  • 高可靠度設計
  • 降低整體成本

競爭優勢

  • 更高的功率密度
  • 相比BSC封裝顯著提升熱性能
  • 簡化電氣設計流程

應用領域

  • 太陽能
  • 電動車充電
  • 不斷電系統UPS
  • 固態斷路器
  • AI
  • 工業驅動
  • CAV

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