英飛凌推出採用Q-DPAK 封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2，將工業應用功率密度提升至新高度

採用Q-DPAK封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2

【2025年8月1日，德國慕尼黑訊】全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出了採用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2。這款新型半導體裝置能夠提供更出色的熱性能、系統效率和功率密度，專為應對工業應用的高性能和高可靠性要求而設計，例如電動車充電器、太陽能逆變器、不斷電系統、電機驅動和固態斷路器等。

這款CoolSiC™ 1200V G2所採用的技術相較於上一代產品有顯著的提升，可在導通電阻（Rds(on)）相同的情況下，開關損耗降低達25%，系統效率提升0.1%。基於英飛凌先進的.XT擴散焊接技術，G2系列產品的熱阻相較於G1系列降低15%以上，MOSFET溫度也降低了11%。憑藉4mΩ至78mΩ的出色導通電阻和豐富的產品組合，設計人員能夠靈活使用，提高系統性能，滿足目標應用需求。此外，新技術支援在高達200°C結溫（Tvj）下的過載運行，並具備出色的抗寄生導通能力，確保在動態且嚴苛的工況下實現可靠運行。

英飛凌CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2提供單開關和雙半橋兩種Q-DPAK封裝。兩款型號均屬於英飛凌更廣泛的X-DPAK頂部散熱平台。所有頂部散熱（TSC）版本（包括 Q-DPAK和TOLT）的封裝厚度統一為2.3mm，具備高度的設計靈活性，使客戶能夠在單一散熱器組件下靈活擴展和組合不同產品。這種設計靈活性簡化了先進功率系統的開發，便於客戶根據需求量身定制和擴展其解決方案。

Q-DPAK封裝透過實現元件頂部與散熱器之間的直接熱傳導，顯著提升散熱性能。與傳統底部散熱封裝相比，這種直接熱傳導路徑能夠顯著提高熱傳導效率，使系統設計更加緊湊。此外，Q-DPAK封裝的佈局設計大幅減少了寄生電感，對提高開關速度至關重要，有助於提升系統效率，並降低電壓過衝風險。此封裝由於佔用空間小，適用於緊湊的系統設計，其與自動化組裝流程的兼容性簡化了製造過程，確保了成本效益和可擴展性。

供貨情況

採用Q-DPAK單開關和雙半橋封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2現已上市。

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