上回書(英飛凌晶片簡史)說到，IGBT自面世以來，歷經數代技術更迭，標誌性的技術包括平面柵+NPT結構的IGBT2，溝槽柵+場截止結構的IGBT3和IGBT4，表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等。現今，英飛凌IGBT晶片的「當家掌門」已由IGBT7接任。 IGBT7採用微溝槽（micro pattern trench）技術，溝道密度更高，元胞間距也經過精心設計，並且優化了寄生電容參數，從而實現極低的導通壓降和優化的開關性能。

IGBT7從2019年問世至今，從首發的T7，到成為擁有S7，H7，T7，E7，P7等完整系列的大家族。這幾大系列之間，究竟有何差別？它們各自的適用領域又都在哪裡？今天這篇文章就帶大家一起來解析一下。

首先，在英飛凌已經商業化的IGBT7產品中，不同的IGBT7系列分佈在不同的電壓等級：

■ 650V:T7,H7

■ 1200V:S7,H7,T7,E7,P7

■ 1700V:E7,P7

■ 2300V:E7

在同一電壓級中，以1200V為例，我們可以按開關速度來進行排序，H7>S7>T7>E7>P7

■ H7是高速晶片，面向開關頻率較高的太陽能、充電樁等應用，Vcesat 1.7V；

■ S7是快速晶片，能夠實現導通損耗與開關速度的最佳平衡，Vcesat 1.65V；

■ T7晶片小功率單管和模組，主要面向電機驅動應用，用在Easy,Econo等封裝，Vcesat 1.55V；

■ E7是晶片是為中功率模組產品開發，導通壓降1.5V，用於EconoDUAL™,62mm等封裝中；

■ P7是晶片是為高功率模組產品開發，導通壓降 1.27V，用於PrimPACK™模組中；

下面，我們按單管和模組兩個系列，從實用的角度闡述各類產品的特性。

● H7晶片擴充了Easy系列在1000VDC系統中的產品組合，可實現高開關頻率應用。

• FS3L40R12W2H7P_B11 EasyPACK™ 2B，模組為三相NPC 2拓撲，1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7晶片，適用於1100V光伏組串逆變器和ESS，模組採用PressFIT針腳，帶塗層NTC，有預導熱材料。
• F3L500R12W3H7_H11 EasyPACK™ 3B模組為單相NPC2拓撲，1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7晶片，適用於1100V光伏組串逆變器應用，模組採用大電流引腳及帶NTC。

（參考閱讀：《新品 | Easy2B Easy3B 1200V IGBT7 H7高速晶片的T型三電平模組的先導產品》）

● PrimePACK™封裝的1200V P7和2300V E7目前分別都只有一款模組，FF2400RB12IP7和FF1800R23IE7。這兩個模組設計的目的是建造MW級1500VDC逆變器，這兩個模組可以構成T字型三電平拓撲，FF1800R23IE7作為豎管，承擔1500V母線電壓，FF2400RB12IP7是共集電極拓撲設計，作為NPC2的橫管使用。一個FF2400RB12IP7搭配兩個FF1800R23IE7並聯模組的方式，最高可實現1.6MW的輸出功率（典型風冷條件）。

（參考閱讀：《新品 | 基於TRENCHSTOP™ IGBT7 PrimePACK™ 的兆瓦級T型三電平橋臂模組組》）

IGBT不論單管和模組都需要通過多項可靠性測試以確保其長期使用穩定性，與電氣性能相關的主要有HTGB（高溫閘極反偏測試），HTRB（高溫反偏測試），H3HTRB(高溫高濕反偏測試)，HV-H3TRB(高壓高溫高濕反偏測試)等。

高溫高濕測試H3TRB的測試條件是溫度Ta=85℃,濕度RH=85%,VCE=80V，而HV-H3TRB在保持溫度和濕度雙85的條件下，將CE之間偏壓從80V提高到了80%的額定電壓，例如1200V的元件，測試電壓的大幅提升對於IGBT無疑是更嚴峻的考驗，而IGBT7透過最佳化設計，通過了1000小時的HV-H3TRB測試，顯示出對高壓及潮濕環境的卓越適應能力。

IGBT7作為最先進IGBT技術的代表，從最初在電機驅動應用初試身手，到現在太陽能、充電、儲能能領域全面開花，在長期的應用中，展現出優異的性能和無窮的潛力，是電力電子系統邁向更高集成度、更高功率密度的重要推動力。未來IGBT7還會有推出什麼樣的新系列？ IGBT8還會遠嗎？我們拭目以待吧！

文章來源：英飛凌工業半導體