
Aug . 2025
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全新 OptiMOS™ 6 150 V 技術旨在滿足各種應用的需求,從電信和伺服器 SMPS 到電動堆高機和 LEV,以及太陽能優化器和高功率USB充電器。 OptiMOS™ 6 150 V 具有業界最低的 RDS(on)、優化的開關性能和出色的 EMI 表現,可實現無與倫比的效率、功率密度和可靠性,與其前身 OptiMOS™ 5 相比有顯著的改進。
1. 關鍵特性
- RDS(on) 比 OptiMOS™ 5 低高達 41%
- FOMg 比 OptiMOS™ 5 低 20%
- FOMgd 比 OptiMOS™ 5 低 17%
- 業界150V最低的Qrr
- 改善了二極體軟度
- 嚴格的 Vgs(th) 範圍為 +/-500 mV
- 高雪崩耐用性
- 最大 Tj 為 175°C 和 MSL1
2. OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 150 V 的優勢
OptiMOS™ 6 150 V 系列為應用帶來許多好處:
- 硬開關和軟開關中傳導損耗和開關損耗低
- 運作穩定,EMI 改善,過衝減少
- 並聯時改善電流共享
- 增強穩健性
- 更長的使用壽命和更高的系統可靠性