近日，英飛凌榮獲2023第三代半導體年度國際領軍企業獎，同期其62mm CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H碳化矽半橋模組憑藉其卓越的性能和廣泛的應用領域，榮獲年度行家極光獎最具影響力產品獎。 兩項大獎再次展現了英飛凌在碳化矽和氮化鎵技術領域的創新能力和產業領先地位。

隨著與GaN Systems的成功併購，英飛凌再度成為市場上領先提供全範圍功率半導體技術組合－氮化鎵(GaN)，碳化矽(SiC)和矽(Si)的公司，提供高度可靠的 GaN e-mode HEMT、碳化矽及矽功率場效管，與從數瓦到兆瓦的高能效全面解決方案。 本次活動中，英飛凌電源與感測系統事業部市場總監盧柱強先生在氮化鎵論壇帶來演講，重點介紹了英飛凌氮化鎵的全新產品組合、技術創新、市場定位以及對未來 發展的預期。 英飛凌零碳工業功率事業部高級市場顧問陳子穎先生在碳化矽論壇發表演講“零碳時代，碳化矽裝置的機會與挑戰”，強調了英飛凌在碳化矽元件應用領域的優勢與潛力。 點擊此處了解更多英飛凌氮化鎵(GaN)相關資訊。

2023年上市的62mm CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H碳化矽半橋模組採用溝槽柵，大幅提升元件參數、可靠性及壽命。 2000V的電壓等級，可簡化1500VDC光伏系統拓樸設計，將傳統IGBT元件的三電平方案簡化為兩電平，使1500VDC光伏系統效率上了新台階。

透過碳化矽擴展成熟的62mm 封裝的產品，滿足了快速開關要求和低損耗，高效率的應用，適用於儲能係統，電動車充電，光伏逆變器，牽引，以及UPS等應用。

文章來源：英飛凌官微