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Jan . 2024

新品 | 2000V 12-100mΩ CoolSiC™ MOSFET

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新品 | 2000V 12-100mΩ CoolSiC™ MOSFET

CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列採用TO-247PLUS-4-HCC封裝,規格為12-100mΩ。 由於採用了.XT互聯技術,CoolSiC™技術的輸出電流能力強,可靠性提升。


產品型號:

▪️ IMYH200R012M1H

▪️ IMYH200R024M1H

▪️ IMYH200R050M1H

▪️ IMYH200R075M1H

▪️ IMYH200R0100M1H

產品特點

  • VDSS=2000V,可用於最高母線電壓為1500VDC系統
  • 開關損耗極低
  • 創新的HCC封裝
  • 針腳間爬電距離為14毫米
  • 5.4毫米電氣間隙
  • 閘極閾值電壓,VGS(th)=4.5V
  • 用於硬換流的堅固體二極體
  • .XT互聯技術可實現同類最佳的散熱性能
  • 高耐濕性

應用價值

  • 市面上首款分離式碳化矽MOSFET元件,阻斷電壓高達2000V
  • 1500V的DC的變流器可以用兩電平實現
  • 與1700V SiC MOSFET相比,1500 VDC系統具有足夠的過壓裕量
  • 創新的TO-247封裝,具有高爬電距離和間隙

應用領域

  • 太陽能逆變器
  • 儲能系統
  • 電動車充電樁

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文章來源:英飛凌工業半導體

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