CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列採用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規格為12-100mΩ。 由於採用了.XT互聯技術，CoolSiC™技術的輸出電流能力強，可靠性提升。

產品型號：

▪️ IMYH200R012M1H

▪️ IMYH200R024M1H

▪️ IMYH200R050M1H

▪️ IMYH200R075M1H

▪️ IMYH200R0100M1H

• VDSS=2000V，可用於最高母線電壓為1500VDC系統
• 開關損耗極低
• 創新的HCC封裝
• 針腳間爬電距離為14毫米
• 5.4毫米電氣間隙
• 閘極閾值電壓，VGS(th)=4.5V
• 用於硬換流的堅固體二極體
• .XT互聯技術可實現同類最佳的散熱性能
• 高耐濕性

• 市面上首款分離式碳化矽MOSFET元件，阻斷電壓高達2000V
  
• 1500V的DC的變流器可以用兩電平實現
• 與1700V SiC MOSFET相比，1500 VDC系統具有足夠的過壓裕量
• 創新的TO-247封裝，具有高爬電距離和間隙

• 太陽能逆變器
  
• 儲能系統
• 電動車充電樁