英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出採用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC™ MOSFET 2000V。 這款產品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也不會降低系統可靠性。 CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。 此為市面上第一款擊穿電壓達到2000V的碳化矽分立元件，CoolSiC™ MOSFET採用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14mm，電氣間隙為5.4mm。 該半導體元件得益於其較低的開關損耗，適用於太陽能（如組串逆變器）以及儲能系統和電動車充電應用。
CoolSiC™ MOSFET 2000V產品系列適用於最高1500 VDC的高直流電壓母線系統。 與1700V SiC MOSFET相比，這些元件還能為1500 VDC系統的過壓提供更高的裕量。 CoolSiC™ MOSFET的基準閘極閾值電壓為4.5V，並且配備了堅固的體二極體來實現硬換向。 憑藉.XT連接技術，這些裝置可提供一流的散熱性能，以及高防潮性。
除了2000V CoolSiC™ MOSFET之外，英飛凌很快還將推出配套的CoolSiC™二極體：首先將於2024年第三季度推出採用TO-247PLUS 4引腳封裝的2000V二極體產品組合，隨後將於2024年 第四季推出採用TO-247-2封裝的2000V CoolSiC™二極體產品組合。 這些二極體非常適合太陽能應用。 此外，英飛凌還提供與之匹配的閘極驅動器產品組合。
