Jun . 2024
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CoolSiC™ MOSFET 400 V TO-Leadless
隨著人工智能（AI）處理器對功率的要求日益提高，電源供應器（PSU）必須在不超出伺服器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率，這主要是因為高級GPU的能源需求激增。到本十年末，每顆高級GPU晶片的能耗可能達到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應用和相關特定客戶需求的出現，促使英飛凌科技股份公司開發電壓650 V以下的SiC MOSFET產品。現在，英飛凌基於今年早些時候發布的第二代（G2）CoolSiC™技術，推出全新CoolSiC™ MOSFET 400 V系列。全新MOSFET產品組合專為AI伺服器的AC/DC級開發，是英飛凌最近公佈的PSU路線圖的補充。該系列元件也適用於太陽能和儲能系統（ESS）、變頻電機控制、工業和開關模式電源（SMPS）以及住宅建築固態斷路器。
英飛凌提供的豐富高效能MOSFET和GaN電晶體產品組合能夠滿足AI伺服器電源對設計和空間的苛刻要求。我們致力於透過CoolSiC™ MOSFET 400 V G2等先進產品為客戶提供支持，推動先進AI應用實現最高能源效率。
與現有的650 V SiC和Si MOSFET相比，新系列具有超低的傳導和開關損耗。這款AI伺服器電源裝置的AC/DC級採用多級PFC，功率密度達到100 W/in³以上，並且效率達到99.5%，較使用650 V SiC MOSFET的解決方案提高了0.3個百分點。此外，由於在DC/DC級採用了CoolGaN™ 電晶體，其系統解決方案得以完善。通過這款高效能MOSFET與電晶體組合，該電源可提供8千瓦以上的功率，功率密度較現有解決方案提高了3倍以上。
全新MOSFET產品組合共包含10款產品：5款RDS(on) 等級（11至45 mΩ）產品採用開爾文源TOLL和 D²PAK-7 封裝以及.XT 封裝互連技術。在Tvj = 25°C 時，其漏極-源極擊穿電壓為400 V，因此非常適合用於2級和3級轉換器以及同步整流。這些元件在苛刻的開關條件下具有很高的穩健性，並且通過了100%的雪崩測試。高度穩健的CoolSiC™ 技術與.XT互連技術相結合，使這些半導體裝置能夠應對AI處理器功率需求突變所造成的功率峰值和瞬態，並且憑藉連接技術和低正RDS(on) 溫度系數，即便在結溫較高的工作條件下也能發揮優異的性能。
文章來源：英飛凌官微
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