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Jun . 2024

英飛凌推出TOLT與Thin-TOLL封裝的新工業CoolSiC™ MOSFET 650 V G2,提升系統功率密度

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CoolSiC™ MOSFET 650 V G2組合1-1

在技​​術進步和低碳化日益受到重視的推動下,電子產業正向結構更緊湊、功能更強大的系統轉變。英飛凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封裝正積極支持並加速這一趨勢。這些產品能夠更大程度地利用PCB主機板和子卡,同時兼顧系統的散熱需求和空間限制。目前,英飛凌正在通過採用 Thin-TOLL 8x8 和 TOLT 封裝的兩個全新產品系列,擴展其 CoolSiC™ MOSFET分離式半導體裝置 650 V產品組合。這兩個產品系列基於CoolSiC™ 第2代(G2)技術,在性能、可靠性和易用性方面均有顯著提升,專門用於中高檔開關模式電源(SMPS),如AI伺服器、可再生能源、電動車充電器、大型家用電器等。


該系列的Thin-TOLL封裝外形尺寸為 8x8 mm,具有市場上同類產品中領先的板上熱循環(TCoB)能力。 TOLT 封裝是一種頂部散熱(TSC)封裝,其外形尺寸與 TOLL相似。這兩種封裝都能為開發者帶來諸多優勢。例如,在AI和伺服器電源裝置(PSU)中採用這兩種封裝,可以減少子卡的厚度和長度並允許使用扁平散熱器。微型逆變器、5G PSU、電視 PSU 和 SMPS通常採用對流冷卻,Thin-TOLL 8x8封裝用於這些應用時,可以更大程度地減少主機板上電源裝置所佔的PCB面積。與此同時,TOLT還能控制設備的結溫。此外,TOLT 元件還與英飛凌採用Q-DPAK封裝的 CoolSiC™ 750 V這一頂部散熱CoolSiC™ 工業產品組合形成了互補。當元件所需的電源不需要Q-DPAK封裝時,開發者可使用TOLT元件減少SiC MOSFET佔用的 PCB 面積。


供貨情況

採用 Thin-TOLL 8x8和TOLT封裝的 650 V G2 CoolSiC™ MOSFET目前的RDS(on) 為20、40、50 和 60 mΩ。 TOLT系列也推出了RDS(on) 為15 mΩ的機型。到2024年底,該產品系列將推出更多型號。了解更多信息,點擊訪問

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