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Nov . 2024

新品 | CoolSiC™ MOSFET 650V G2,7mΩ,採用TO247和TO247-4封裝

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CoolSiC™ MOSFET 650V G2,7mΩ,採用TO-247和TO-247-4 4引腳封裝,以第1代技術的優勢為基礎,加快了系統設計的成本優化,實現高效、緊湊和可靠解決方案。 CoolSiC™ MOSFET第2代在硬開關工況和軟開關拓撲的關鍵性能指標上都有顯著改進,適用於所有常見的系統設計。交流-直流、直流-直流和直流-交流電路及其組合。


產品型號:

■ IMW65R007M2H

■IMZA65R007M2H

產品特點

  • 優異的性能指標(FOM)
  • 個位數RDS(on)
  • 堅固耐用,整體品質高
  • 靈活的驅動電壓範圍
  • 支援單電源驅動,VGS(off)=0
  • 避免誤開通
  • .XT技術改進封裝互聯

應用價值

  • 節省物料清單
  • 最大限度地提高單位成本的系統效能
  • 最高可靠性
  • 實現最高效率和功率密度
  • 易於使用
  • 與現有供應商完全兼容
  • 允許無需風扇或無散熱器設計

競爭優勢

  • 開關損耗極低
  • 標桿性閘極閾值電壓,VGS(th)=4.5V
  • 閘極關斷電壓為0V,可抵禦寄生導通
  • 驅動電壓靈活,與正負電源驅動相容
  • 用於硬換流的堅固體二極體
  • .XT互聯技術可實現同類最佳的散熱性能

應用領域

  • 開關電源(SMPS)
  • 太陽能逆變器
  • 儲能系統
  • UPS
  • 電動車充電
  • 電機驅動

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