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Mar . 2024

新品發佈 | 英飛凌OptiMOS™ 6 200 V MOSFET

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隨著英飛凌技術公司推出全新的OptiMOS™ 6 200 V MOSFET系列產品,電機驅動應用領域得到了顯著的推進。 這一系列產品專為各種電動交通工具,(如電動滑板車、微型電動車及電動堆高機等)提供了卓越的性能表現。


OptiMOS™ 6 200 V MOSFET的溝槽技術,透過降低了RDS(on)(漏源電阻),有效減少了傳導損耗,使其在電動工具的應用中實現了更高效的運作。 這項技術不僅優化了開關損耗,降低了電磁幹擾(EMI),而且提供了更好的並聯運作能力,這得益於它窄的閘極閾值電壓範圍和降低的跨導效果。 其軟二極體特性和低的反向恢復電荷,加上線性輸出電容的改善,這些都有助於在不同的操作條件下提升系統效率。


這些特性對於任何需要高效能能源交換的應用程序,如伺服器、通訊、儲能和太陽能係統等,都是至關重要的。 此外,OptiMOS™ 6 200 V較寬的安全工作區(SOA)以及較低的RDS(on)的結合,使得它成為靜態交換應用(如電池管理系統)的理想選擇。


與OptiMOS™ 3相比,OptiMOS™ 6 200 V的性能有了質的飛躍,RDS(on)降低了42%,大大減少了傳導損耗並提升了輸出功率。 在二極體的軟切換特性上,OptiMOS™ 6 200 V的表現是OptiMOS™ 3的三倍以上,加上89%的Qrr(反向恢復電荷)降低,使得開關和EMI性能都得到了顯著提升。 寄生電容(Coss 和Crss)的線性度改進,減少了開關時的振盪和電壓過衝,緊密的V GS(th) 分佈和更低的跨導有助於並聯MOSFET的均衡流動,實現更均勻的 溫度分佈,同時減少了並聯MOSFET的需要。


新的OptiMOS™ 6 200 V產品系列不僅在技術性能上設立了新的行業標準,也因其提高的功率密度、效率和系統可靠性,為客戶帶來了實質的利益。 隨著這些創新產品的推出,我們可以期待在電力電子領域的更多應用突破和進步。

OptiMOS™ 6 200 V MOSFET產品優勢

• 低傳導損耗

• 開關損耗低

• 改善了EMI

• 減少了並聯的需要

• 並聯時更好的電流共享

• 符合RoHS,無鉛

OptiMOS™ 6 200 V MOSFET技術優勢:

• 室溫下RDS(on) 減少42%,175°C時減少53%

• 降低了Qrr和提高了電容線性度與開關性能

• 在不影響EMI的情況下,降低傳導和開關損耗

• 改良SOA以增加保護開關應用中MOSFET電流處理

• 設計最佳化和生產精度使可靠的高性能技術

OptiMOS™ 6 200 V 產品採用多種封裝,適合各種應用。 這一廣泛的封裝產品組合包括 PQFN 3.3.x3.3、SuperSO8 5x6、TOLL、TO-220、D2PAK-7P 以及 D2PAK-3P。

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文章來源:英飛凌官微

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