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Feb . 2025

英飛凌推出採用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業CoolSiC™ MOSFET 650V G2,實現更高的功率密度

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CoolSiC™ MOSFET 650V G2 Q-DPAK TSC

電子產業正在向更緊湊而強大的系統快速轉型。為了支持這一趨勢並進一步推動系統層面的創新,英飛凌正在擴展其CoolSiC™ MOSFET 650V單管產品組合,推出了採用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產品系列。

 

這兩個產品系列採用頂部和底部冷卻並基於CoolSiC™ Generation 2(G2)技術,其性能、可靠性和易用性均有顯著提高。它們專門用於中高功率開關模式電源(SMPS)開發,包括AI伺服器、可再生能源、充電樁、電動交通工具和人形機器人、電視機、驅動器以及固態斷路器。


TOLL封裝具有出色的板載熱循環(TCoB)能力,可通過減少印刷電路板(PCB)佔板面積來實現緊湊的系統設計。在用於SMPS時,它還能減少系統級製造成本。 TOLL封裝現在適用於更多目標應用,使PCB設計者能夠進一步降低成本並更好地滿足市場需求。


Q-DPAK封裝的推出補充了英飛凌正在開發的新型頂部冷卻(TSC)產品,包括CoolMOS™ 8、CoolSiC™、CoolGaN™和OptiMOS™。 TSC產品使客戶能夠以低成本實現出色的穩健性以及更大的功率密度和系統效率,還能將直接散熱率提高至95%,透過實現PCB的雙面使用更好地管理空間和減少寄生效應。

供貨情況

採用TOLL和Q-DPAK封裝的CoolSiC™ MOSFET 650V G2現已上市,前者的RDS(on)值為10至60mΩ,後者的RDS(on)值為 7、10、15和20mΩ。


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文章來源:英飛凌官微

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