TLE4973利用片內的差分霍爾來感知晶片外電流產生的磁場來實現測量電流的目的。

其中集成導體式產品（PG-TISON-8封裝）電流流經晶片內部，優點是整個感測器在封裝完成之後進行調校，所以精度較高，但是受制於內部導體的阻抗，所以可測電流有效值一般低於100A。英飛凌該封裝的產品達到了0.22mΩ的導通阻抗，處於業界領先水準。前文曾有更詳細的比較。

外接導體的優點是待測電流不流經晶片本體，因此不會在晶片內造成熱累積，所以可測電流範圍可以達到2KA以上，相較於使用磁芯進行聚磁的電流感測器模組來說，這種方案在成本和體積上都更有優勢，目前正受到越來越多的用戶青睞。 TLE4973- xE35主要採用PG-VSON-6和PG-TDSO-16兩種封裝。 PG-VSON-6因為體積較小，較適合銅排載流的場合，PG-TDSO-16則建議應用於PCB載流。

TLE4973目前總共使用到的3種封裝形式總結如下圖：

獨特的單一總線數位通訊功能使MCU可實現對板上最多8個TLE4973的自動尋址和通訊，即佔用最少的MCU資源實現功能的最大化，透過數位通訊可實現的功能包括：

用戶只需採用一個型號即可以粗調實現下面9種靈敏度，之後可以再在粗調基礎上再實現±15%的靈敏度精調，從而減少用戶管理的型號種類。

TLE4973後綴為S0001的產品可配置為單端輸出、半差分輸出、全差分輸出模式，採用差分輸出模式在輸出訊號PCB走線較長時可提高抗干擾能力，同時可提高測量精度。

1. 晶片溫度即時獲取
2. 過流閾值點設置，過流反應時間設置，過流消抖時間設定
   
3. 比例輸出Radiometric功能配置
   
4. 診斷功能：對主模擬路徑（靈敏度）自我檢測和OCD模擬路徑自我檢測。
   
   

通過發送指令給晶片，晶片的模擬輸出會輸出指定值，用戶採樣該值進行驗證。 OCD功能自我檢測用於檢驗內部過流偵測比較器是否正常。

另外，需要著重說明一下，DCDI可相容於5v/3.3v供電的MCU，因DCDI內部為OPEN DRAIN結構，因此可以將其訊號上拉至MCU電平，從而實現TLE4973--->MCU方向訊號的相容；而對於DCDI的接收訊號，大於1.6v視為高電平，低於1v視為低電平，因此無論是5v或3.3v供電的MCU，其輸出訊號均能被TLE4973識別，從而實現MCU- -->TLE4973的方向訊號傳輸。

簡單來說平面S-Bend方案相較於平面Straight方案的阻抗上升大，但是crosstalk（相間互擾）較小；相較平面方案，垂直安裝方案對晶片相對位置變化敏感性較低。具體可在我司官網進行相關誤差評估。

該模組使用了英飛凌的下一代晶片技術 EDT3（SI IGBT）和 CoolSiC™ G2 MOSFET ,實現在 750 V 和1200 V 電壓等級內達到 300 kW 的功率。其PIN腳的銅排在結構上進行了優化，可方便地嵌入內置TLE4973-xE35晶片的Swoboda電流感測器模組，涵蓋從500A -2500A 量程的所有測量需求。用戶僅需對此模組進行配置後即可使用，無需進行結構設計與仿真。

Swoboda模組的頻率響應圖如下，可知頻寬達到100Khz以上，因此可完全涵蓋電驅應用所需的取樣頻率。

TLE4973根據不同封裝目前可以提供5款評估板，具體介紹如下表：

利用與程式設計板配套的軟體可以方便地對片內的EEPROM或寄存器進行訪問，也可以實現數據記錄儀的功能，對溫升、電流等進行多點採集記錄，進而進行評估相關系統指標。

文章來源：英飛凌汽車電子生態圈