半導體製造商ROHM(總公司:日本京都市)開發出全新一代EcoSiC™—「第5世代SiC MOSFET」,非常適用於xEV(電動車)牽引逆變器*等汽車電動動力總成系統,以及AI伺服器電源和資料中心等工業設備電源。
ROHM在開發第5世代SiC MOSFET的過程中,透過改進元件結構並優化製程,與之前的第4世代產品相比,成功將功率電子電路實際使用環境中備受重視的高溫工作時(Tj=175℃)導通電阻降低約30%(相同耐壓、相同晶片尺寸條件下比較)。在xEV牽引逆變器等需要在高溫環境下使用的應用中,該產品有助縮小單元體積,提高輸出功率。
第5代SiC MOSFET已於2025年起提供裸晶片樣品,並於2026年3月完成開發。
另外ROHM計畫從2026年7月開始提供搭載第5世代SiC MOSFET的Discrete元件和模組樣品。今後ROHM將進一步擴大產品陣容,同時優化設計工具,並強化針對應用產品設計的支援體系。