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Sep . 2023

PCIM展台對話三:IGBT7高速晶片H7的價值主張

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英飛淩的650V、1200V多種特性的IGBT7產品全面上市,將全面替代上一代產品。 更好的特性和更大的電流規格拓展了應用場景,頻率範圍和系統功率等級。


H7是IGBT7 4種單管晶元中的高速版本,有650V和1200V兩個電壓等級,它們的導通損耗和開關損耗都非常低,可以實現卓越的系統效率,尤其是高開關頻率應用中的系統效率。


關於應用場景、價格和供貨情況,下面聽聽高級市場經理張明丹怎麼說?

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