英飛淩300mm GaN技術
隨著GaN半導體需求的持續增長，英飛淩正抓住這一趨勢，鞏固其作為GaN市場領先垂直整合製造商（IDM，以下同）的地位。 近日，公司宣佈其在 300mm晶圓上的可擴展GaN生產已步入正軌。 隨著首批樣品將於2025年第四季度向客戶提供，英飛淩有望擴大客戶群體，並進一步鞏固其作為領先氮化鎵巨頭的地位。
03
Jul . 2025
作為領先的垂直整合製造商（IDM），英飛淩在300mm氮化鎵生產路線圖方面取得突破
分享至
作為功率系統領域的領導者，英飛凌已經掌握全部三種材料的相關技術：矽（Si）、碳化矽（SiC）和氮化鎵 (GaN)。 憑藉更高的功率密度、更快的開關速度和更低的功率損耗，氮化鎵半導體可實現更緊湊的設計，從而減少智慧手機充電器、工業和人形機器人，以及太陽能逆變器等電子設備的能耗和熱量產生。
英飛凌全面擴大的300mm GaN生產規模將幫助我們更快為客戶提供更高價值的產品，同時推動實現Si和GaN同類產品的成本持平。在英飛凌宣布突破300mm GaN晶圓技術近一年後，我們很高興看到我們的過渡進程進展順利，並且業界已經認識到英飛凌GaN技術在我們的IDM戰略優勢下所發揮的重要作用。
Johannes Schoiswohl
英飛凌科技氮化鎵業務線負責人
英飛淩的生產策略主要以IDM模式為主，即擁有從設計到製造和銷售最終產品的整個半導體生產流程。 公司的內部生產策略是市場上的一個關鍵差異化因素，具有多重優勢，如能提供更高品質的產品、更快的產品上市時間以及出色的設計和開發靈活性。 英飛淩致力於為氮化鎵客戶提供支援，並可擴大產能以滿足他們對可靠的GaN電源解決方案的需求。
憑藉其技術領先優勢，英飛淩已成為首家在現有大批量生產基礎設施內成功開發出300mm GaN功率晶圓技術的半導體製造商。 與現有的 200mm晶圓相比，300mm晶圓上的晶片生產在技術上更加先進，效率也顯著提高，因為更大的晶圓直徑可使晶片生產效率提高 2.3 倍。 這些增強的能力，加上英飛凌強大的GaN專家團隊，以及業界最廣泛的知識產權組合，恰好可以滿足基於GaN的功率半導體在工業、汽車、消費、計算和通信等領域快速普及，包括AI系統電源、太陽能逆變器、充電器和適配器以及電機控制系統等。
市場分析師預測，到2030年，GaN在功率應用領域的收入將以每年36%的速度增長，達到約25億美元[1]。 英飛凌擁有專門的生產能力和強大的產品群組，去年發佈了40多款新型GaN產品，這使其成為尋求高品質GaN解決方案客戶的首選合作夥伴。
[1] Yole Group； 《功率碳化矽和氮化鎵化合物半導體市場監測，2025 年第二季度》
文章來源：英飛凌官微