1200V的62mm CoolSiC™ MOSFET半橋模組現已上市。 由於採用了 M1H晶片技術，模組在VGS(th)、RDS(on)漂移和閘極驅動電壓視窗方面表現得到了改善。 這些模組還提供預塗導熱界面材料（TIM）版本。
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1，2，6mΩ，1200V 62mm半橋模組
10
Nov . 2023
新品 | 採用1200V SiC M1H晶片的62mm半橋模組，最大規格1mΩ
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產品特點
- 集成體二極體，優化了熱阻
- 最高的防潮性能
- 卓越的閘極氧化層可靠性
- 抗宇宙射線能力強
- 符合RoHS標準要求
應用價值
- 依應用苛刻條件優化
- 更低的電壓過衝
- 導通損耗最小
- 高速開關，損耗極低
- 對稱模組設計實現對稱的上下橋臂開關行為
- 標準模組封裝技術確保可靠性
- 62毫米高產量生產線上生產
競爭優勢
- 透過碳化矽擴展成熟的62毫米封裝的產品，以滿足快速開關要求和低損耗的應用。
- 電流密度最高，防潮性能強
應用領域
- 儲能系統
- 電動車充電
- 太陽能逆變器
- UPS
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文章來源：英飛凌工業半導體