綠色能源領域是英飛凌專注耕耘且市場影響巨大的領域，英飛凌的系統方案涵蓋了新能源發電、輸電、供電的整個能源轉換鏈。

作為零碳技術的創新夥伴，英飛凌憑藉在功率半導體領域數十年的經驗積累和沈澱，以及對系統和應用的深刻理解，在2023年面向綠色能源和零碳工業應用發布了一系列功率半導體裝置和驅動晶片，新的參考設計板和評估板。 因篇幅有限，選取幾款明星產品快速一覽：

2023年，英飛凌重磅發表TRENCHSTOP™ IGBT7單管全系列產品，包括T7，S7，H7三個系列，涵蓋了650V和1200V兩大電壓等級，5種不同的封裝，近40多個產品型號 ，大大豐富了使用者的選擇。

得益於IGBT7微溝槽技術，TRENCHSTOP™ IGBT7單管系列極大的優化了開關損耗和導通損耗，相較於市場上的IGBT單管元件，英飛凌1200V H7產品最大電流達140A， 成為業界第一款1200V實現額定電流140A的IGBT分立元件，相較於英飛凌上一代1200V高速單管High Speed H3的75A最大電流規格有了大幅的提升。 此外，650V H7單管的電流等級達到150A。 這高規格的電流可以減少IGBT並聯的數量，對於縮小系統尺寸和減輕重量有極大的幫助。 該系列還擁有強大的防潮和抗宇宙射線能力，正在成為光伏和儲能應用的炙手可熱的新星。

2023年上市的CoolSiC™ 1200V MOSFET模組（最大規格1mΩ）和CoolSiC™ 2000V MOSFET模組（最大規格2.6mΩ）系列新添全新工業標準封裝產品。 採用新推出的增強型M1H碳化矽（SiC）MOSFET晶片，以及成熟的62mm封裝的半橋模組，使SiC MOSFET能夠應用於250kW以上的中等功率等級應用，而傳統IGBT矽技術在這一功率等級應用 的功率密度已達極限值。 而2000V的電壓等級，滿足現代系統設計中的高耐壓需求。 借助英飛凌CoolSiC™晶片技術，變換器的設計可以變得更有效率，單一逆變器的額定功率得以進一步提高，從而降低整體系統成本。

身為溝槽柵技術的倡導者和先驅者，英飛凌IGBT晶片技術不斷創新，引領業界的產品技術不斷升級。 2023年正式推出搭載1200V TRENCHSTOP™ IGBT7晶片的62mm半橋和共射極模組產品組合，推出全新電流額定值模組，最大電流規格高達800A。 基於新型微溝槽技術，1200V 62mm IGBT7模組系列的靜態損耗遠低於搭載IGBT4晶片組的模組，IGBT的振盪行為和可控性也得到了提升。 此外，全新功率模組的最大過載結溫為175°C。 這些特性大大降低了應用中的損耗。 系統設計人員在設計額定電流更高方案的時候，不僅提供最大的彈性，還提供更高的功率密度和更優秀的電氣性能。

每一個功率元件都需要一個驅動晶片，合適的驅動晶片總是能帶來事半功倍的效果。 2023年推出EiceDRIVER™ F3增強型（1ED332x）系列是一個隔離型閘極驅動器系列。 輸出電流能力大，+6A/-8.5A的典型峰值輸出電流，可用於高功率逆變器和寬禁帶裝置。 具備精確的VCEsat檢測（DESAT），具故障輸出。 退飽和檢測後的軟關斷在驅動IGBT和CoolSiC™能做好短路保護。 主動式米勒箝位功能使其成為使用SiC MOSFET和TRENCHSTOP™ IGBT7的快速開關單電源設計應用的理想選擇。 通過UL 1577認證以及IEC 60747-17，適用於伺服驅動器，UPS系統等應用。