如今，許多工業應用可以通過提高直流母線電壓，在力求功率損耗最低的同時，向更高的功率水平過渡。為滿足這一需求，全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出CoolSiC™蕭特基二極體2000V G5，這是市面上首款擊穿電壓達到2000V的分立碳化矽二極體。該產品系列適用於直流母線電壓高達1500 VDC的應用，額定電流為10A至80A，是太陽能、電動車充電等高直流母線電壓應用的完美選擇。

該產品系列採用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14mm，間隙距離為5.4mm，再加上高達80A的額定電流，顯著提升了功率密度。它使開發人員能夠在應用中實現更高的功率水平，而元件數量僅為1200V SiC解決方案的一半，簡化了整體設計，實現了從多電平拓撲結構到兩電平拓撲結構的平穩過渡。

此外，CoolSiC™蕭特基二極體2000V G5採用.XT互連技術，大幅降低熱阻和阻抗，更好地實現了熱管理。此外，HV-H3TRB可靠性測試也證明了該二極體對濕度的耐受性。該二極體沒有反向或正向恢復電流，且具有正向低電壓的特點，確保系統性能更優。

2000V二極體系列與英飛凌2024年春季推出的TO-247PLUS-4 HCC封裝的CoolSiC™ MOSFET 2000V完美適配。 CoolSiC™二極體2000V產品組合將通過提供TO-247-2封裝而擴展，該封裝將於2024年12月推出。此外，英飛凌也提供了與CoolSiC™ MOSFET 2000V相符的閘極驅動器產品組合。