● 任憑這一突破性的300 mm GaN技術，英飛凌將推動GaN市場快速成長

● 利用現有的大規模300 mm矽製造設施，英飛凌將最大化GaN生產的資本效率

● 300 mm GaN的成本將逐漸與矽的成本持平

英飛凌科技股份公司今天宣布，已成功開發出全球首個300 mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓技術。英飛凌是全球首家在現有且可擴展的大規模生產環境中掌握這項突破性技術的企業。這項突破將大地推動GaN功率半導體市場的發展。相較於 200 mm晶圓，300 mm晶圓晶片生產不僅在技術上更先進，也因為晶圓直徑的擴大，每片晶圓上的晶片數量增加了 2.3 倍，效率也顯著提高。

基於GaN的功率半導體正在工業、汽車、消費、計算和通訊應用中快速普及，包括AI系統電源、太陽能逆變器、充電器和適配器以及電機控制系統等。先進的GaN製造流程能夠提高元件性能，為終端客戶的應用帶來許多好處，包括更高的效率、更小的尺寸、更輕的重量和更低的總成本。此外，憑藉可擴展性，300 mm製造製程在客戶供應方面具有極高的穩定性。

這項開創性的技術成就彰顯了英飛凌在全球功率系統和物聯網半導體領域的領導者地位。英飛凌正通過佈局300 mm GaN技術，打造更具成本效益價值、能夠滿足客戶系統全方位需求的產品，以加強現有解決方案並使新的解決方案和應用領域成為可能。 2024年11月，英飛凌將在慕尼黑電子展（electronica）上向大眾展示首批300 mm GaN晶圓。

由於GaN和矽的製造流程十分相似，因此300 mm GaN技術的一大優點是可以利用現有的 300 mm矽製造設備。英飛凌現有的大批量300 mm矽生產線非常適合試產可靠的GaN技術，既加快了實現的速度，又能夠有效利用資本。 300 mm GaN的全規模化生產將有助於實現GaN與矽的成本在同一RDS(on) 等級能夠接近，這意味著同級的矽和GaN產品的成本將能夠持平。

300 mm GaN是英飛凌策略創新領導地位的另一個里程碑，將助推英飛凌低碳化和數位化使命的達成。

文章來源：英飛凌官微