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Jul . 2025

新品 | 650V CoolMOS™ 8超結 (SJ) MOSFET

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英飛凌推出全新650V CoolMOS™ 8引領全球高壓超結SJ MOSFET技術,為產業技術與性價比樹立了全球標準。此系列為高功率應用提供了額外的50V電壓裕量,有助於滿足資料中心和電信應用中交流輸入電壓提升至277V的要求。此外,它還能為電動車充電和固態斷路器(SSCB)應用提供額外的突波保護。我們的650V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET整合了快速體二極體,使其適用於各種高功率應用場景,是CoolMOS™ 7 MOSFET(包括C7和CFD7系列)的升級換代的最佳選擇。


產品型號:

■ IPDQ65R008CM8

■ IPDQ65R018CM8

■ IPT65R018CM8

■ IPT65R025CM8

■ IPT65R040CM8

■ IPW65R018CM8


■ IPW65R025CM8

■ IPW65R040CM8

■ IPW65R060CM8

■ IPZA65R018CM8

■ IPZA65R025CM8

■ IPZA65R040CM

產品特點

  • 業界領先的RDS(on)*A
  • 整合快速體二極體
  • 出色的換向耐用性
  • 先進的互連技術
  • 完整產品組合含8mΩ BiC
  • 頂部散熱封裝設計

競爭優勢

  • 業界領先的RDS(on)*A
  • Qrr反向恢復電荷性能顯著提升
  • trr反向恢復時間較同類產品縮短35%
  • 採用QDPAK等頂部散熱封裝技術
  • 卓越的品質
  • 增強型寬能隙(WBG)半導體解決方案
  • QDPAK封裝8mΩ系列產品

應用價值

  • 低振鈴特性
  • 簡化設計、縮短開發週期
  • 產品線清晰完善
  • 系統級創新

應用領域

  • 資料中心
  • 電信設備
  • 超固態解決方案(繼電器/斷路器)
  • 電動車充電
  • 不斷電系統UPS
  • 工業SMPS

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