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May . 2025

新品發表 | 英飛凌新一代750V SiC MOSFET將革新汽車與工業功率電子產品

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750V 碳化矽MOSFET-750V CoolSiC™ MOSFET車規級及工業級產品,導通電阻範圍7mΩ至140mΩ


英飛凌750V CoolSiC™ 碳化矽MOSFET分立元件具有業界領先的抗寄生導通能力和成熟的閘極氧化層技術,可在Totem Pole、ANPC、Vienna整流器和FCC等硬開關拓撲中實現卓越性能。


此外,第二代產品大幅降低輸出電容(Coss),使其能夠在Cycloconverter、CLLC、DAB和LLC等軟開關拓撲中以更高開關頻率運作。


該產品完美適用於對可靠性、功率密度和效率有嚴格要求的應用,包括車載充電器、DC-DC轉換器、DC-AC轉換器,以及AI伺服器、太陽能逆變器和電動車充電設備。採用Q-DPAK封裝可充分發揮SiC技術固有的快速開關速度,同時確保約20W的功率耗散能力。

產品亮點

CoolSiC™ MOSFET 750 V

  • 穩健的750 V技術,經過測試的100%抗雪崩能力
  • 出類拔萃的RDS(on) x Qfr
  • 出色的 RDS(on) x Qoss 和 RDS(on) x QG
  • 低Crss/Ciss 和高VGS(th)的獨特組合
  • 英飛凌專有晶片接合技術
  • 提供驅動源引腳

關鍵特性

  • 插件和貼片封裝
  • 整合開爾文源極
  • 車規級裝置符合AEC-Q101認證標準,工業級元件通過JEDEC認證
  • 高度細分的產品組合:導通電阻範圍8mΩ至140mΩ,支援多種封裝規格

Q-DPAK頂部散熱封裝

頂部散熱(TSC)元件是表面貼裝功率元件,焊接在印刷電路板(PCB)上。半導體晶片產生的熱量透過封裝頂部傳導至連接的散熱器。 TSC功率封裝是改善熱性能和電氣性能的解決方案。這類封裝也有助於提高功率密度並降低製造難度。

車規級MOSFET

「Tiny Power Box」計畫由英飛凌與奧地利矽實驗室(Silicon Austria Labs)共同開發,採用全英飛凌CoolSiC™ 解決方案,打造了一款緊湊型單相7千瓦車用充電器。

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