750V 碳化矽MOSFET－750V CoolSiC™ MOSFET車規級及工業級產品，導通電阻範圍7mΩ至140mΩ

英飛凌750V CoolSiC™ 碳化矽MOSFET分離元件具有業界領先的抗寄生導通能力和成熟的閘極氧化層技術，可在Totem Pole、ANPC、Vienna整流器和FCC等硬開關拓撲中實現卓越性能。

此外，第二代產品大幅降低輸出電容(Coss)，使其能夠在Cycloconverter、CLLC、DAB和LLC等軟開關拓撲中以更高開關頻率運作。

該產品完美適用於對可靠性、功率密度和效率有嚴格要求的應用，包括車載充電器、DC-DC轉換器、DC-AC轉換器，以及AI伺服器、太陽能逆變器和電動車充電設備。採用Q-DPAK封裝可充分發揮SiC技術固有的快速開關速度，同時確保約20W的功率耗散能力。

CoolSiC™ MOSFET 750 V

• 穩健的750 V技術，經過測試的100%抗雪崩能力
• 出類拔萃的RDS(on) x Qfr
• 出色的 RDS(on) x Qoss 和 RDS(on) x QG
• 低Crss/Ciss 和高VGS(th)的獨特組合
• 英飛凌專有晶片接合技術
• 提供驅動源引腳

關鍵特性

• 插件和貼片封裝
• 整合開爾文源極
• 車規級裝置符合AEC-Q101認證標準，工業級元件通過JEDEC認證
• 高度細分的產品組合：導通電阻範圍8mΩ至140mΩ，支援多種封裝規格

Q-DPAK頂部散熱封裝

頂部散熱（TSC）元件是表面貼裝功率元件，焊接在印刷電路板（PCB）上。半導體晶片產生的熱量透過封裝頂部傳導至連接的散熱器。 TSC功率封裝是改善熱性能和電氣性能的解決方案。這類封裝也有助於提高功率密度並降低製造難度。

文章來源：英飛凌官微