A :有5個因素決定Si和SiC的材料在電力電子裝置上的表現表現，分別是帶隙、擊穿場強、電子遷移率、電子漂移速率和熱傳導係數。

• 寬能隙可以使元件在更高的溫度下工作；
• 10倍的耐壓可達到在同樣厚度下更高的耐壓能力；
• 更快的電子漂移速率支援更高的工作頻率和更小的開通損耗；
• 3倍的熱傳導係數能帶來更好的散熱能力。這是Si和SiC材料特性的主要差異。

A : IGBT在MOSFET的漏極側增加了高摻雜的P層，從而實現了MOSFET的電壓型閘極控制，同時實現在同等電壓和電流下更低的導通壓降。

但是SiC比Si的耐壓強，所以SiC MOSFET厚度可以做薄，實現損耗的降低。

A : 相對於Si，SiC的閘極氧化層挑戰性較大，它的外在缺陷密度比Si高出3-4個數量級，它的可靠性決定了SiC的產品品質。相較於平面結構，垂直結構的閘極氧化層可以做的更厚，可以更有效的提升閘極氧化層的可靠性。

A : 首先，在驅動電壓上，Si IGBT一般採用-7V~15V的驅動電壓，而SiC一般為-5V~18V，部分廠商的負壓會到-2V，這主要是因為負壓會影響閘極的可靠性，而18V的正壓能有效降低導通壓降。

其次，在短路上，Si IGBT和SiC MOSFET的短路失效機制不一樣，SiC MOSFET的短路能力弱於Si IGBT，所以需要更低的DESAT檢測電壓以實現快速短路檢測，同時短路時間也會更短。

A : MOSFET是阻抗特性，而IGBT導通有個二極體壓降，所以在小電流情況下SiC MOSFET的導通損耗比Si IGBT的導通損耗小；

同時SiC MOSFET的開通速度比Si IGBT的快，所以開關損耗也小。這樣綜合下來，SiC MOSFET在小電流下比Si IGBT的損耗小。

A : 得益於750V IGBT EDT3和第二代SiC MOSFET技術的良好匹配，英飛凌在第二代HP Drive封裝上實現了單驅動的fusion模組，實現了在小電流下主要由SiC MOSFET工作，在大電流情況下輔以IGBT工作，這樣在只需要30% SiC用量的情況下就實現了75%的邊際效率。