TLE49SR片內內建有4個平面霍爾，偵測垂直於晶片表面的磁場。對角放置的每2個霍爾形成1組差分霍爾（如下圖的Hall 1與Hall 3，Hall 2與Hall 4），外部雜散磁場（由綠色箭頭顯示）對差分霍爾形成的共模部分在運算時被減去，而被測磁鐵的磁場形成的差分部分被保留，晶片後級運算後被保留，晶片後級。

如前所述，目前主機廠和Tier 1提出對於DC磁場的抑制能力要求達到 4000A/m (約5mT) ，該值實際上已經超過了ISO11452-8 level IV 的最高測試要求(3000A/m (~3.8mT))。而TLE49SR的對DC磁場的抑制能力可以達到±8mT，對AC磁場的抑制能力達±1.25mT，遠超過目前OEM/Tier 1的要求。

除了抗雜散幹擾的核心功能外，TLE49SR還可提供以下差異化特性：

（1）低延遲時間，最快可達9.8us，適用於高速運動場景下的角度測量，最高偵測轉速可達10000rpm。

TLE49SR的延遲時間tlatency= tjitter+ tnotch+ tIIR，訊號濾波時間tIIR可以使用者自行配置，下表顯示最短的延遲時間可以達到9.8us，前提是將濾波器頻寬設定為最高頻寬49.2 kHz，可以在訊號濾波級造成tIIR =42868.Ft =49.848.Ft = 47.Ft.

（2）角速度輸出模式

SENT及SPC輸出的晶片可將Data Nibble配置為角度或角速度輸出，而角速度模式下又可配置為如下4種模式，獲得針對不同速率下的解析度與延遲時間。

（3）測量同時觸發功能

TLE49SR的SPC輸出類別產品可使用Frameholder機制同時觸發最多4個TLE49SR進行角度測量，之後再在SPC匯流排上以位址逐一取得資料。在需要多個TLE49SR同時測量角度以保持資料高度一致的場景下（例如冗餘校驗），此功能非常實用。

（4）測量範圍可編程

首先TLE49SR可以在0~360°範圍內任意設定輸出角度的箝位上限和箝位下限。

其次也可以將測量範圍配置為如下圖所示的4*90°和3*120°兩種分段模式，角度所處的象限值會隨具體角度值一起輸出，該功能為車身高度類應用做下線校準提供了便利。

（5）多樣化的封裝和輸出協議

從輸出訊號來看，TLE49SR分為電流輸出型（兩線制）和電壓輸出型（三線制）2種，電流輸出型產品使用PSI5協議，電壓輸出型產品使用PWM，SENT，SPC協定。

從封裝形式來看，TLE49SR目前使用了直插（PG-SSO-3-41）和貼片(PG-TDSO-8-1)兩種形式。其中直插封裝PG-SSO-3-41內部封裝了矽電容，使用者可以將晶片直接封裝進模組內進行二次注塑，無需做PCB載板，不僅提升了EMC能力，也使安裝更加緊湊。

下表囊括了目前TLE49SR由不同輸出和封裝組合所得到的所有型號：

（1）TLE49SRS/C(SENT和SPC輸出)產品採用種子為 0101，多項式為X4+X3+X2+1的CRC校驗。一般來說MCU用內嵌查表法可以加快運算速度，下面程式為用查表法對如下Frame的CRC校驗C語言程式碼。