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Jun . 2025

TOLL和DFN封裝CoolGaN™ 650V G5第五代氮化鎵功率電晶體

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第五代CoolGaN™ 650V G5氮化鎵功率電晶體可在高頻工況下顯著提升能效,符合業界最高質量標準,協助打造兼具超高效率與卓越可靠性的設計方案。該系列產品現已新增採用底部冷卻技術的TOLL及DFN封裝,其創新設計可降低各類工業及消費性電子應用中的功率損耗。


產品型號:

■ IGT65R025D2ATMA1

■ IGT65R035D2ATMA1

■ IGT65R045D2ATMA1

■ IGT65R055D2ATMA1

■ IGT65R140D2ATMA1

■IGLD65R055D2AUMA1

■IGLD65R080D2AUMA1

■IGLD65R110D2AUMA1

■IGLD65R140D2AUMA1

產品特點

  • 650V增強型功率電晶體
  • 超快開關速度
  • 無反向恢復電荷
  • 支持反向導通
  • 低閘極電荷與低輸出電荷
  • 卓越的換向穩健性
  • 動態導通電阻(RDS(on))極低
  • 高ESD防護能力:2kV人體放電模型(HBM)-1kV元件充電模型(CDM)
  • 底部散熱封裝
  • 通過JEDEC認證(JESD47/JESD22標準)

應用價值

  • 支援高頻工作模式
  • 實現系統最高能效
  • 賦能超高功率密度設計
  • 降低BOM成本

應用領域

  • 電信基礎設施AC-DC電源轉換
  • 計算和數據存儲
  • 電動車充電系統
  • 工業電源
  • 太陽能
  • 變流器
  • USB-C轉換器與充電器

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