據Yole Group預測，未來五年GaN元件市場的年複合成長率（CAGR）將達到46%。隨著2023年對GaN Systems公司的成功收購，英飛凌今年陸續發布多款氮化鎵系列新品，並表示將擴大CoolGaN™的優勢和產能，確保英飛凌在GaN器件市場供應鏈的穩定性。

2024年7月9日，英飛凌在慕尼黑電子展（Electronica）期間舉辦媒體發表會，重磅發表了多款CoolGaN™系列新品。英飛凌科技大中華區消費、計算與通訊業務市場總監程文濤（圖左）、高級首席工程師宋清亮（圖右）出席了本次媒體會，為與會嘉賓帶來新產品的詳細介紹並回答了相關提問。

使客戶能夠將氮化鎵（GaN）的應用範圍擴大到40 V至700 V電壓的新一代中壓 CoolGaN™ G3 系列電晶體，以及高壓 CoolGaN™ G5 系列電晶體。

1. 新一代CoolGaN™ G3和CoolGaN™ G5系列採用英飛凌自主研發的高效能 8 吋晶圓製程製造
2. CoolGaN™ G3 中壓電晶體，涵蓋了60 V、80 V、100 V 和120 V 的CoolGaN™ 電晶體電壓等級，以及40 V 雙向開關（BDS）元件，主要針對電機驅動、電信、資料中心、太陽能和消費應用
3. 基於GIT的新一代高壓產品650 V G5系列適用於消費、資料中心、工業與太陽能領域的應用

擁有出色的軟開關和硬開關性能，提供40 V、650 V 和 850 V電壓的CoolGaN™ 雙向開關（BDS）。

1. CoolGaN™ BDS 650 V 和 850 V：採用真正的常閉單晶片雙向開關，具有四種工作模式。通過使用一個BDS代替四個傳統晶體管，可提高效率、密度和可靠性，使應用能夠從中受益並大幅節省成本
   
2. CoolGaN™ BDS 40 V：基於英飛凌肖特基柵極氮化鎵自主技術的常閉單片雙向開關，能阻斷兩個方向的電壓，並且透過單柵極共源極的設計進行了優化，以取代電池供電消費產品中用作斷開開關的背對背MOSFET
3. 相較於背對背矽FET，使用40 V GaN BDS的優點包括節省50% - 75%的PCB面積、降低50%以上的功率損耗，以及減少成本
4. 目標應用和市場涵蓋行動裝置USB端口、電池管理系統、逆變器和整流器等

具有無損電流檢測功能，簡化了設計並進一步降低了功率損耗的CoolGaN™ 智能感應 Smart Sense。

1. 2 kV 的靜電放電耐受能力，可連接到控制器電流感應以實現峰值電流控制和過電流保護
2. 電流偵測反應時間約200 ns，小於等於一般控制器的消隱時間
3. 具有極高的兼容性
4. 目標應用和市場涵蓋消費性電子設備的充電器和適配器

目前，新產品供貨期已公佈

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