氮化鎵（GaN）技術在提升功率電子元件性能水平方面起到至關重要的作用。但目前為止，GaN供應商採用的封裝類型和尺寸各異，產品十分零散，客戶缺乏相容多種封裝的貨源。

為了解決這個問題，英飛凌推出採用RQFN 5x6封裝的 CoolGaN™ G3 100V (IGD015S10S1) 和採用RQFN 3.3x3.3封裝的CoolGaN™ G3 80V (IGE033S08S1) 高效能GaN電晶體。

"這兩款新元件相容業界標準矽MOSFET封裝，滿足客戶對標準化封裝、更易處理和加快產品上市速度的需求。 "

Antoine Jalabert博士

英飛凌科技中壓氮化鎵產品線負責人

CoolGaN™ G3 100V電晶體元件將採用5x6 RQFN封裝，典型導通電阻為1.1mΩ；CoolGaN™ G3 80V將以3.3x3.3 RQFN封裝，典型電阻為2.3mΩ。這兩款電晶體的封裝首次讓客戶可以採取簡便的多源採購策略，以及與矽基設計形成互補的佈局，而新封裝與GaN組合帶來的低電阻連接和低寄生效應能夠在常見封裝中實現高性能電晶體輸出。

此外，這種晶片與封裝組合具有更大的暴露表面積和更高的銅密度，使熱量得到更好的分佈和散發，因此不僅能提高熱傳導性，還具有很高的熱循環穩定性。