新品 | 第2代CoolSiC™ MOSFET 400V

Sep . 2024

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CoolSiC™ MOSFET 400V G2將高堅固度與超低開關損耗和導通電阻結合在一起，同時改善了系統成本。 400V SiC MOSFET可在2電平和3電平硬開關和軟開關拓撲中提供出色的功率密度和系統效率。目標應用為人工智能伺服器PSU、SMPS、電機控制、可再生能源和儲能以及D類放大器中的功率轉換。

產品型號：

■IMBG40R011M2H

■IMBG40R015M2H

■IMBG40R025M2H

■IMBG40R036M2H

■IMBG40R045M2H

■ IMT40R011M2H

■ IMT40R015M2H

■ IMT40R025M2H

■ IMT40R036M2H

■ IMT40R045M2H

產品特點

與650V SiC MOSFET相比，FOM更好
低Qfr值的快速換流二極體
RDS(on)溫度係數小
閘極閾值電壓VGS(th)=4.5V
可以單電源驅動VGSoff=0V
100%經過雪崩測試
開關速度可控性高
高dV/dt運作期間的低過衝
.XT互聯技術
一流的熱性能

應用價值

系統效率高
高功率密度設計
高設計穩健性
減少EMI濾波
在硬開關拓撲中使用

競爭優勢

支援採用創新拓樸結構（如3L PFC，ANPC）
與HV SiC MOSFET相比，Ron x A降低，FoM提高，RDS(on)與Tj曲線平坦，100°C時增幅最小
低Qgd,Qoss fr,Eoss
高壓擺率控制、線性Coss和低Qfr
高閘極驅動閾值電壓Vth,typ=4.5V實現0V-18V驅動
以及較低的米勒比，以減輕Cgd，Vds/dt引起的寄生導通

應用領域

AI伺服器電源
SMPS
電機控制
輕型電動車
堆高機
電動飛機
固態斷路器
太陽能
能源儲存
D類放大器

文章來源：英飛凌工業半導體

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