英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/ OTCQX代碼：IFNNY）推出新一代碳化矽（SiC）MOSFET溝槽柵極技術，開啟電力系統與能量轉換的新篇章。 與上一代產品相比，英飛凌全新的CoolSiC™ MOSFET 650V和1200V Generation 2技術在確保品質和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）提高了20%，不僅 提升了整體能效，更進一步推動了低碳化進程。

CoolSiC™ MOSFE新一代G2技術持續發揮碳化矽的性能優勢，通過降低能量損耗來提高功率轉換過程中的效率。 這為太陽光電系統、儲能、電動車充電樁、電機驅動和工業電源等功率半導體應用領域的客戶帶來了巨大優勢。 與前幾代產品相比，採用CoolSiC™ G2的電動車直流快速充電站最高可減少10%的功率損耗，並且在不影響外形尺寸的情況下實現更高的充電功率。 基於CoolSiC™ G2裝置的牽引逆變器可進一步增加電動車的續航里程。 在可再生能源領域，採用CoolSiC™ G2的太陽能逆變器可以在保持高功率輸出的同時實現更小的尺寸，從而降低每瓦成本。

英飛凌科技零碳工業電力事業部總裁Peter Wawer 博士表示：

「目前的大趨勢是採用高效的新方式來產生、傳輸和消耗能量。英飛凌憑藉CoolSiC™ MOSFET G2將碳化矽的性能提升到了新的水平。新一代碳化矽技術使廠商能夠更快地設計出成本更低、結構更緊湊、性能更可靠，且效率更高的系統，在實現節能的同時減少現場的每瓦二氧化碳排放。 這充分體現了英飛凌堅持不懈持續推動工業、消費、汽車領域的低碳化和數位化的創新」。

英飛凌開創性的CoolSiC™ MOSFET溝槽柵技術推動了高效能CoolSiC™ G2解決方案的發展，實現了更優化的設計選擇，與目前的SiC MOSFET技術相比，具有更高的效率和可靠性 。 結合屢獲殊榮的.XT封裝技術，英飛凌以更高的導熱性、更優的封裝控制以及更出色的性能，進一步提升了基於 CoolSiC™ G2的設計潛力。

英飛凌掌握了矽、碳化矽和氮化鎵（GaN）領域的所有關鍵功率技術，可提供靈活的設計和領先的應用知識，滿足現代設計的期望和需求。 在推動低碳化的過程中，基於碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶（WBG）材料的創新半導體已成為能源高效利用的關鍵。

文章來源：英飛凌工業半導體