本影片深入介紹了專為滿足工業應用需求而開發的英飛凌第二代高性能1200V CoolSiC™ MOSFET G2，其新特性旨在實現更佳效率、更高功率密度、更好可靠性和更強穩健性，如結-殼熱阻值改善了12%，可在200ºC的結溫下累計運行100小時，提供額外溫度。

影片展示了第二代CoolSiC™ MOSFET G2在電動車充電解決方案、太陽能系統、不斷電系統模組以及工業電機驅動器等領域的廣泛應用，根據不同應用要求介紹了不同設計策略，例如實現輸出更高的功率，或更低的溫度，或者提高系統的開關頻率，旨在幫助觀眾更好地理解並選擇適合的MOSFET元件。