今年3月， 英飛凌推出了市面上第一款擊穿電壓達到2000V的碳化矽分立元件， 全面開啟碳化矽2000V的時代。 最新的2000V CoolSiC™ MOSFET採用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14mm，電氣間隙為5.4mm。 作為英飛凌的創新產品，其在直流母線電壓表現搶眼，能為1500 VDC系統的過壓提供更高的裕量。
英飛凌IPAC“CoolSiC™碳化矽直播季”去年一經上線，備受好評！
5月14日 14：00，今年的碳化矽季正式回歸，
首期話題將為您揭開CoolSiC™ MOSFET 2000V的神秘面紗：
- 增強型M1H CoolSiC™ MOSFET技術帶來哪些產品優勢？
- 2000V CoolSiC™ 碳化矽分立元件和模組產品各有什麼特點？
- 如何應對2000V CoolSiC™ MOSFET的驅動挑戰？
- 2000V CoolSiC™ MOSFET在應用設計時需要關注哪些設計難點？
鎖定碳化矽季未來幾期，更多福利/驚喜將在直播間呈現：
CoolSiC™ MOSFET 2000V產品評估板首次公開發佈售賣，
閘極驅動器重點知識講解，儲能方面的應用……
