英飛凌抗輻射(rad hard)非同步靜態隨機存取記憶體
英飛凌擴充整合嵌入式糾錯碼(ECC)的抗輻射非同步靜態隨機存取記憶體(RAM)產品線,適用於航空等極端環境
衛星上的邊緣運算和推理可實現近乎即時的數據分析和決策。 隨著連網設備的數量及其產生的資料量不斷增長,這一點變得愈發重要。為滿足太空應用中的這些高效能運算需求,英飛凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布推出採用英飛凌專利技術RADSTOP™設計的最新抗輻射(rad hard)異步靜態隨機存取記憶體。 全新產品專為高可靠性和高性能極為關鍵的太空及其它惡劣環境應用而設計。
在高效能太空運算中,資料緩衝所需的記憶體比MCU或 FPGA片上記憶體所能提供的記憶體更多。 記憶體必須為即時處理應用提供更高的性能並具有卓越的抗輻射性能,以滿足在惡劣環境中的任務要求。 英飛凌的全新抗輻射靜態隨機存取記憶體(SRAM)有8位元、16位元和32位元寬配置,並附有能進行單位元錯誤修正的嵌入式錯誤校正碼(ECC)。 這項先進技術使得糾錯碼(ECC)邏輯能夠在讀取週期內偵測並修正任何讀取資料字中的單一位元錯誤。
英飛凌科技航空航太與國防業務副總裁兼研究員Helmut Puchner博士表示:「輻射效應會導致靜態隨機存取記憶體(SRAM)中不可避免的位元錯誤,而使用系統級糾錯碼(ECC)會增加 設計複雜性和延遲。英飛凌的RADSTOP異步靜態隨機存取記憶體(SRAM)提供了一種極其可靠的單晶片解決方案,可以在解決這些問題的同時,滿足航太工業對抗輻射性能的要求。”
英飛凌領先的RADSTOP技術透過自主設計和製程強化技術實現了抗輻射性能,可滿足極端環境下的所有抗輻射要求。 這款全新抗輻射記憶體獲得了QML-V認證,能夠確保在極端環境下的可靠性和生命週期要求。 這些半導體裝置的存取時間短至10 ns,是目前速度最快的選擇。 此外,它們還為最高的密度和最低的靜態電流提供了最小的佔板面積。 RADSTOP記憶體解決方案擴展了整個系統的運算極限,同時具備尺寸、重量和功耗優勢以及更大的設計靈活性。