英飛凌最新的OptiMOS™ 6功率MOSFET系列採用尖端的溝槽工藝,顯著改善了開關/傳導損耗和電流能力。這些改進轉化為更低的系統損耗,從而提高了功率密度、板溫度和整個系統的可靠性,實現了高水準的系統效率。適用於包括開關模式電源(SMPS)、可再生能源、OR-ing電路、電機驅動、LEV和電池供電等應用領域。
該系列有多種包裝可供選擇,以滿足您的設計要求,包括PQFN 3.3x3.3、sTOLL、SuperSO8、TOLL和TOLT。
英飛凌最新的OptiMOS™ 6功率MOSFET系列採用尖端的溝槽工藝,顯著改善了開關/傳導損耗和電流能力。這些改進轉化為更低的系統損耗,從而提高了功率密度、板溫度和整個系統的可靠性,實現了高水準的系統效率。適用於包括開關模式電源(SMPS)、可再生能源、OR-ing電路、電機驅動、LEV和電池供電等應用領域。
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英飛凌擁有五大競爭優勢:產品組合的完整、功率 MOSFET 產能最大、價值鏈完整、優異品控 (平均缺陷率為 0.03 DPM,優於業界水準),以及適合應用的系統性方法。英飛凌也是市場上少有的同時提供矽(Si)、寬禁帶、碳化矽(SiC)以及氮化鎵(GaN)半導體產品的企業。
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採用最新溝槽 MOSFET 技術的OptiMOS™ 6系列具有兩大特性:第一是極低的導通電阻,第二是卓越的開關性能。這兩大特性讓OptiMOS™ 6 MOSFET能簡化散熱的設計,減少需要並聯的元器件數量,提升功率密度,降低維護的成本,以及讓產品的壽命得以延長。
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OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 尤其適用于高頻率開關應用,是電信和太陽能等應用的理想選擇。由於導通電阻RDS(on) 和品質因數改進,也適用於電池供電的應用,例如電動工具、低速汽車、無人機、機器人以及電池管理應用。
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