近期，由知名高科技產業研究機構TrendForce集邦諮詢及其旗下全球半導體觀察主辦的首屆TechFuture Awards 2024科技未來大獎頒獎典禮上，英飛凌憑藉在第三代半導體領域的卓越表現，榮獲「未來電力電子技術創新獎」。
2024年，寬能隙半導體產業仍維持快速成長態勢，SiC產業在6吋產能的大幅擴張下成本快速下降，但受到電動車市場放緩和工業需求走弱，年成長幅度較過去幾年有所放緩，GaN則在消費性市場加速滲透，年成長幅度持續走高。展望2025年，SiC產業將正式進入8吋產能轉換階段，同時在下游市場復甦狀況下整年可望實現更強勁的增長，GaN則將在越來越多非消費性應用中受到歡迎，特別是汽車、數據中心、機器人，進而推動產業維持高速成長。
在寬能隙半導體產業快速成長的當下，英飛凌以其在矽、碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）技術領域的全面佈局，持續引領產業創新，為AI伺服器、光儲、新能源汽車等低碳化趨勢下的關鍵產業提供了高性能的功率半導體解決方案，推動了產業的綠色轉型和永續發展。
在AI伺服器領域，隨著數據量的爆炸性增長，對高效計算能力的需求日益迫切。英飛凌因應挑戰，推出了針對AI數據中心的高能效電源裝置（PSU）產品路線圖，創新地將矽（Si）、碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）三種先進半導體材料集成於單一模組之中，為數據中心和AI生態系統提供了卓越的效能、效率和可靠性。不僅有效減少耗電量和二氧化碳排放，還能降低數據中心整體營運成本，實現經濟效益與環境責任的雙重目標。英飛凌的這項舉措，不僅推動了數據中心能源效率的革命，也為AI和高性能運算領域的發展提供了強而有力的支持。
英飛凌的技術創新不僅限於產品層面，在製造流程上也不斷突破。 2024年，公司率先開發出全球首個300mm氮化鎵功率半導體技術，成為全球首家在現有且可擴展的大規模生產環境中掌握這項突破性技術的企業。相較於200mm晶圓，300mm晶圓晶片生產因為晶圓直徑的擴大，每片晶圓上的晶片數量增加了2.3倍，極大提高了生產效率。此外，英飛凌推出的全球最薄20μm矽功率晶圓，與傳統矽晶圓解決方案相比，將基板電阻降低50%，從而使功率系統中的功率損耗減少15%以上，標誌著英飛凌在節能功率解決方案領域邁出了重要一步。