【2025年3月14日,德國慕尼黑訊】目前，許多工業應用正朝著更高功率水平、且功率損耗最小化的方向發展，實現這一目標的方法之一是提高直流母線電壓。針對此市場趨勢，全球電力系統與物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）於2024年9月推出CoolSiC™蕭特基二極體2000V G5產品系列，這是首款擊穿電壓達到2000V的碳化矽二極管分立元件。該產品系列目前擴展到TO-247-2封裝，其引腳可與現有的大多數TO-247-2封裝相容。該產品系列非常適合最高直流母線電壓為1500 VDC的應用，是太陽能和電動車充電樁的理想選擇。

這款TO-247-2封裝的2000V CoolSiC™蕭特基二極體G5的額定電流範圍為10A至80A。相較於1200V 解決方案，這款產品能使開發人員在應用中實現更高功率等級，同時將元件數量減半，從而簡化整體設計，並有助於從多電平拓撲結構無縫過渡到兩電平拓撲結構。

此外，TO-247-2封裝的蕭特基二極體也採用.XT互聯技術，大大降低了熱阻抗，提高了熱管理能力。它還通過HV-H3TRB可靠性測試，驗證了在潮濕環境中的穩定性。這款二極體沒有反向恢復和正向恢復，且具有正向電壓低的特點，從而確保了系統性能的提升。

2000V二極體系列可與英飛凌2024年春季推出的TO-247Plus-4 HCC封裝CoolSiC™ MOSFET 2000V完美搭配。除TO-247-2封裝外，CoolSiC™蕭特基二極體2000V也提供TO-247PLUS-4 HCC封裝。