半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）推出100V耐壓的功率MOSFET*1「RY7P250BM」，為AI伺服器48V電源熱插拔電路*2，以及需要電池保護的工業設備電源等應用的理想之選。

RY7P250BM為8×8mm尺寸的MOSFET，預計該尺寸產品未來需求將不斷成長，可以輕易替代現有產品。另外新產品同時實現了更寬的SOA耐受量範圍*3（條件：VDS=48V、Pw＝1ms/10ms）和更低導通電阻（RDS(on)）*4，既可確保熱插拔（電源啟動）工作時的更高可靠性，亦能優化電源效率，降低功耗並減少發熱量。

為兼顧伺服器的穩定運行和節能，熱插拔電路須具有較寬的SOA耐受量範圍，以承受大電流負載。特別是AI伺服器的熱插拔電路，比起傳統伺服器需要更寬的SOA耐受量範圍。RY7P250BM的SOA耐受量在脈寬10ms時可達16A、1ms時可達50A，實現業界最佳性能，能夠對應過去MOSFET難以支援的高負載應用。

RY7P250BM是具有業界最佳SOA耐受量範圍的MOSFET，並且實現了更低的導通電阻，大幅降低了通電時的功率損耗和發熱量。具有寬SOA耐受量範圍的一般8×8mm尺寸100V耐壓MOSFET的導通電阻大多為2.28mΩ，而RY7P250BM的導通電阻則降低了約18%，僅有1.86mΩ（條件：VGS=10V、ID=50A、Tj=25℃）。因此有助於提升伺服器電源效率、減輕冷卻負擔並降低電力成本。

另外RY7P250BM更榮獲全球知名雲端平台認證推薦，預計未來將在AI伺服器領域得到更廣泛的應用。在注重可靠性與節能的伺服器電源領域中，RY7P250BM在更寬的SOA耐受量範圍與更低導通電阻之間取得絕佳平衡，因此在雲端應用中得到了高度好評。

新產品已經暫以每月100萬個的規模投入量產（樣品價格800日元/個，未稅）。前段製程的生產據點為ROHM Co., Ltd.（日本滋賀工廠），後段製程的生產據點為OSAT（泰國）。另外已開始透過電商平台銷售。

今後ROHM將繼續擴大適用於伺服器和工業設備48V電源的產品陣容，透過高效率且高可靠性的電源解決方案，為永續ICT基礎設施和節能貢獻力量。

EcoMOS™是ROHM開發的Si功率MOSFET品牌，非常適用於功率元件領域對節能要求高的應用。

EcoMOS™產品陣容豐富，已被廣泛用於家用電器、工業設備和車載等領域。客戶可根據應用需求，透過雜訊性能和開關性能等各種參數，從產品陣容中選擇產品。

*1）功率MOSFET

適用於功率轉換和開關應用的一種MOSFET。目前透過向閘極施加相對於源極的正電壓而導通的Nch MOSFET為主流產品，比起Pch MOSFET，具有導通電阻小、效率高等特點。因可實現低損耗和高速開關而被廣泛用於電源電路、馬達驅動電路和逆變器等應用。

*2）熱插拔電路

可在設備電源運轉狀態下實現元件插入或拆卸、支援熱插拔功能的電路。由MOSFET、保護元件和電子連接器等組成，負責抑制元件插入時產生的突波電流並提供過電流保護，確保系統和所連接元件的安全工作。

*3）SOA（Safe Operating Area）耐受量範圍

元件不會損壞且可以安全工作的電壓和電流耐受量範圍。若超出該安全工作區可能會導致熱失控或損壞，特別是在可能發生突波電流和過電流的應用中，需要考慮SOA耐受量範圍。

*4）導通電阻（RDS(on)）

MOSFET工作（導通）時汲極與源極間的電阻值。該值越小，工作時的損耗（功率損耗）越少。

*5）突波電流（Inrush Current）

在電子設備接通電源時，瞬間流經超過額定電流值的大電流。因會造成電源電路中元件的負荷，所以透過控制突波電流，可防止設備損壞並提高系統穩定性。