Apr . 2023
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近年來，全球電力需求量持續增加，如何有效利用電力已成為迫在眉睫的課題，從而要求不斷提高各種馬達和基地台、伺服器等工控設備的效率。在上述應用中，中等耐壓的MOSFET被廣泛應用於各種電路中，製造商也因此要求能進一步降低功耗。另一方面，導通電阻和Qgd是引起MOSFET功率損耗的兩項主要參數，但對於普通的MOSFET而言，由於導通電阻與晶片尺寸成反比，Qgd會成比例增加，因此很難同時兼顧這兩項參數。針對這個課題，ROHM透過微細化製程、採用銅夾連接、重新檢視閘極結構等措施，改善了兩者之間難以取捨的關係。
新產品不僅利用微細化製程提高了元件性能，還透過採用低阻值銅夾連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實現了僅2.1mΩ的業界超低導通電阻（Ron）*2，與傳統產品相比，導通電阻降低了50%。另外，透過重新檢視閘極結構，Qgd*3（閘極-汲極間電荷量，通常與導通電阻之間存在難以取捨的關係）也比傳統產品減少了約40%（Ron和Qgd均為耐壓60V的HSOP8封裝產品之間的比較）。因此可以降低開關損耗和導通損耗，非常有助各種應用產品的高效率工作。例如，在工控設備用電源評估板上比較電源效率時，新產品在穩定工作時的輸出電流範圍內，實現了業界超高的電源效率（峰值時高達約95%）。
新產品已於2023年1月開始暫以每月100萬個的規模投入量產（樣品價格500日元/個，未稅），並已經開始透過電商平台銷售。
＜產品陣容＞
＜應用範例＞
◇通訊基地台和伺服器電源
◇工控和消費性電子產品用馬達
以及其他各類型設備的電源電路和馬達驅動。
＜名詞解釋＞
*1) Nch MOSFET
透過向閘極施加相對於源極為正極的電壓而導通的MOSFET。
與Pch MOSFET相比，由於Nch MOSFET具有更低的導通電阻，在各種電路都很方便使用，因而在目前市場上廣泛的被採用。
*2) 導通電阻（Ron）
MOSFET導通時汲極和源極之間的阻值。該值越小，導通時的功率損耗越少。
*3) Qgd（閘極-汲極間電荷量）
MOSFET開始導通後，閘極和汲極間的電容充電期間的電荷量。該值越小，開關速度越快，開關時的損耗（功率損耗）越小。