歐洲半導體大廠英飛凌今日宣布，與全球知名半導體製造商羅姆（ROHM）就建立SiC功率元件封裝合作機制簽署了備忘錄。雙方將在碳化矽（SiC）功率半導體的封裝領域展開合作，應用範疇涵蓋車載充電器、太陽能發電、儲能系統及AI資料中心等。雙方將就特定的SiC 功率元件封裝合作，互為彼此的第二來源供應商 (second source)，進一步提升客戶在設計與採購上的靈活性。未來，客戶可同時從英飛凌與ROHM取得封裝兼容的產品，這項合作將確保這些元件在封裝相容性與互換性上的無縫銜接，以滿足不同客戶的特定需求。

英飛凌零碳工業功率事業部總裁 Peter Wawer表示：「我們很高興能夠透過與ROHM的合作進一步加速碳化矽功率元件的普及。此次合作將為客戶在設計和採購流程中提供更豐富的選擇與更大的靈活性，同時還有助於開發出能夠推動低碳進程的高能效應用方案。」

ROHM常務執行董事、功率元件事業部負責人伊野和英表示：「ROHM的使命是為客戶提供最佳解決方案。與英飛凌的合作將有助於拓展我們的解決方案組合，同時也是實現這一目標的重要一步。我們期待透過此次合作，能夠在推進協同創新的同時降低複雜性，進一步提升客戶滿意度，共同開拓電力電子行業的未來。」

雙方此次合作，ROHM將採用英飛凌創新的SiC頂部散熱平台（包括TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK Dual和H-DPAK封裝）。該平台將所有封裝統一為2.3 mm的標準化高度，不僅簡化設計流程、降低散熱系統成本，更能有效利用基板空間，功率密度提升幅度最高可達兩倍。

英飛凌將採用ROHM的半橋結構SiC模組DOT-247，並開發相容封裝。這將使英飛凌新發佈的Double TO-247 IGBT產品組合新增SiC半橋解決方案。ROHM先進的DOT-247封裝相比傳統分立元件封裝，可實現更高功率密度與設計自由度。其採用將兩個TO-247封裝連接的獨特結構，較TO-247封裝降低約15%的熱阻和50%的電感。憑藉這些特性，該封裝的功率密度達到TO-247封裝的2.3倍。

英飛凌與ROHM計劃未來將擴大合作範疇，涵蓋更多封裝形式，並囊括矽（Si）及寬能隙功率技術，例如碳化矽與氮化鎵（GaN）。此舉將進一步深化雙方的合作關係，並為客戶提供更加多元的解決方案及採購選擇。

文章出處 : 經濟日報