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Nov . 2023

新品 | 採用 2000V SiC M1H晶片的62mm半橋模組,最大規格2.6mΩ

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2000V的62mm CoolSiC™ MOSFET半橋模組現已上市,有2.6mΩ和3.5mΩ兩種規格。 由於採用了M1H晶片技術,模組在 VGS(th)、RDS(on)漂移和閘極驅動電壓視窗方面表現得到了改善。

這些模組還提供預塗導熱界面材料(TIM)版本。


相關產品:

▪️ FF3MR20KM1H(P) 2.6mΩ,

2000V 62mm半橋模組

▪️ FF4MR20KM1H(P) 3.5mΩ,

2000V 62mm半橋模組

(P)為預塗導熱界面材料(TIM)版本

產品特點

  • 集成體二極體,優化了熱阻
  • 最高的防潮性能
  • 卓越的閘極氧化層可靠性
  • 抗宇宙射線能力強


應用價值

  • 依應用苛刻條件優化
  • 更低的電壓過衝
  • 導通損耗最小
  • 高速開關,損耗極低
  • 對稱模組設計實現對稱的上下橋臂開關行為
  • 標準模組封裝技術確保可靠性
  • 62毫米高產量生產線的生產


競爭優勢

  • 透過碳化矽擴展成熟的62毫米封裝的產品,以滿足快速開關要求和低損耗的應用
  • 電流密度最高,防潮性能強

應用領域

  • 儲能係統
  • 電動車充電
  • 太陽能逆變器
  • 牽引
  • UPS

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文章來源:英飛凌工業半導體

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