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Nov . 2023

英飛凌推出OptiMOS™ 7 15 V MOSFET,創建產業新基準

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英飛凌推出業界首款採用全新 OptiMOS™ 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。 這項技術經過系統和應用最佳化,主要應用於伺服器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。 英飛凌是首家推出15 V 功率 MOSFET 的半導體製造商,採用全新系統與應用優化的OptiMOS™ 7 MOSFET 技術。 新產品創建產業新基準,我們使客戶能夠在低輸出電壓的 DC-DC 轉換領域邁出新的一步, 釋放更優秀系統效率和性能,賦能未來。

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與 OptiMOS™ 5 25 V 相比,較低的擊穿電壓可顯著降低通態電阻RDS(on)和 FOMQg/FOMQOSS ,成為同類最佳的產品。 可選的組合包括PQFN 3.3x3.3 mm2源極底置封裝(帶底部和雙面散熱型)、襯底上的標準柵和中心柵電極,可靈活優化的PCB 佈局設計,以及緊湊的超小型 PQFN 2x2 mm2封裝。 脈衝電流能力超過 500 A,Rthjc為 1.6 K/W。 結合源極底置封裝,不僅降低了導通和開關損耗,同時簡化散熱管理,還將功率密度和效率推向了新高度。 該產品系列為支援資料中心配電架構的新趨勢(如48:1 DC-DC 轉換)提供了飛躍性的支持,開啟伺服器、資料通訊和人工智慧應用升級的新篇章,同時最大限度地減少了 碳足跡。

主要特點

  • 業界首款 15 V 溝槽功率 MOSFET
  • 與 25 V 節點相比,RDS(on) 達到新基準
  • 出色的 FOMQg/ FOMQOSS
  • 極低的寄生效應
  • 提供標準和中心閘極引腳
  • 可選雙面散熱型

主要優勢

  • 適用於高轉換率DC-DC 轉換器
  • 降低導通/開關損耗
  • 最佳開關性能和低過衝
  • 源極底置中心閘極可優化並聯電路佈局
  • 源極底置標準閘極可與現有PCB 佈局輕鬆匹配
  • 雙面散熱,提升散熱性能

價值主張

  • 適用於高比率 DC-DC 轉換器:
    業界首款工業級 15V 垂直溝槽技術功率MOSFET
  • 與 OptiMOS™ 5 25V 相比,RDS(on),max4,5 降低 30%
  • 出色的 FOMQOSS 和 FOMQg
  • 緊湊的PQFN 2x2 mm2封裝
  • ID(pulse)=516A,RthJCmax=3.2K/W
  • 雙面散熱PQFN 3.3x3.3 mm2源極底置封裝:
    - 簡化散熱管理
    - 降低系統溫度
  • 提高功率密度

15V產品組合


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文章來源:英飛凌官微

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