英飛凌推出業界首款採用全新 OptiMOS™ 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。 這項技術經過系統和應用最佳化，主要應用於伺服器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。 英飛凌是首家推出15 V 功率 MOSFET 的半導體製造商，採用全新系統與應用優化的OptiMOS™ 7 MOSFET 技術。 新產品創建產業新基準，我們使客戶能夠在低輸出電壓的 DC-DC 轉換領域邁出新的一步, 釋放更優秀系統效率和性能，賦能未來。
28
Nov . 2023
英飛凌推出OptiMOS™ 7 15 V MOSFET，創建產業新基準
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與 OptiMOS™ 5 25 V 相比，較低的擊穿電壓可顯著降低通態電阻RDS(on)和 FOMQg/FOMQOSS ，成為同類最佳的產品。 可選的組合包括PQFN 3.3x3.3 mm2源極底置封裝（帶底部和雙面散熱型）、襯底上的標準柵和中心柵電極，可靈活優化的PCB 佈局設計，以及緊湊的超小型 PQFN 2x2 mm2封裝。 脈衝電流能力超過 500 A，Rthjc為 1.6 K/W。 結合源極底置封裝，不僅降低了導通和開關損耗，同時簡化散熱管理，還將功率密度和效率推向了新高度。 該產品系列為支援資料中心配電架構的新趨勢（如48:1 DC-DC 轉換）提供了飛躍性的支持，開啟伺服器、資料通訊和人工智慧應用升級的新篇章，同時最大限度地減少了 碳足跡。
主要特點
- 業界首款 15 V 溝槽功率 MOSFET
- 與 25 V 節點相比，RDS(on) 達到新基準
- 出色的 FOMQg/ FOMQOSS
- 極低的寄生效應
- 提供標準和中心閘極引腳
- 可選雙面散熱型
主要優勢
- 適用於高轉換率DC-DC 轉換器
- 降低導通/開關損耗
- 最佳開關性能和低過衝
- 源極底置中心閘極可優化並聯電路佈局
- 源極底置標準閘極可與現有PCB 佈局輕鬆匹配
- 雙面散熱，提升散熱性能
價值主張
- 適用於高比率 DC-DC 轉換器：
業界首款工業級 15V 垂直溝槽技術功率MOSFET - 與 OptiMOS™ 5 25V 相比，RDS(on),max4,5 降低 30%
- 出色的 FOMQOSS 和 FOMQg
- 緊湊的PQFN 2x2 mm2封裝
- ID（pulse）=516A，RthJCmax=3.2K/W
- 雙面散熱PQFN 3.3x3.3 mm2源極底置封裝：
- 簡化散熱管理
- 降低系統溫度 - 提高功率密度
15V產品組合
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文章來源：英飛凌官微