在傳統矽功率元件中，反向恢復現象主要與它們內部的寄生二極體有關，指二極體從導通狀態（正向偏壓）切換到反向阻斷狀態（反向偏壓）時，產生的短暫反向恢復電流和反向恢復時間的現象。

其形成主要是由於在裝置導通狀態下，載流子（電子和電洞）累積並注入到兩極之間的電荷儲存區域。當電壓反轉時，這些儲存的電荷需要先被移除或複合，才能使元件完全進入反向阻斷狀態。為了移除這些載子，會出現一個反向電流，這就是反向恢復電流，這個過程持續的時間就稱為反向恢復時間，時間長短主要取決於裝置內部載流子的儲存量、載子的複合速度和擴散速度，溫度等因素。這個反向恢復電流會疊加到換流開關管的開通過程中，形成開關管的開通電流尖峰。

現在問題來了：SiC裝置到底有沒有反向恢復現象呢？

在回答這個問題之前，先來看幾張實驗波形，如圖1(a)、1(b)、1(c)，採用如圖1(d)所示的雙脈衝測試平台進行雙脈衝測試所得，其中紅色波形顯示的是流經開關管的開通電流，黑色波形是開關管兩端的電壓。

可以看到無論是採用Si二極體、SiC-MOS的寄生二極管，或是SiC的肖特基二極體進行換流，都觀察到在開關管上的開通電流尖峰。這是不是意味著無論Si還是SiC都存在反向復原的問題呢？

為了澄清這個問題，需要回到前面闡述的二極體反向恢復的機制。反向恢復主要是由於少數載子的儲存效應所導致的。 Si二極體以及SiC-MOS的寄生二極體因為都是雙極性導電結構，因此存在反向恢復效應。而蕭特基二極體採用的是單極性載子裝置，因此SiC的蕭特基二極體沒有少數載子儲存效應，反向恢復現象應該是不存在的。

如前述分析，SiC肖特基二極體應該不存在反向恢復現象，但是為什麼採用SiC肖特基二極體換流時，開關管依然存在開通電流尖峰？為了方便分析這個問題，基於Spice模型建構模擬平台進行分析，如圖2所示。

從圖2(b)的仿真，可以觀測到與實測類似的波形，即SiC-MOS與SiC肖特基二極體換流時，存在開關管開通的電流尖峰。進一步分析，肖特基二極體可以等效為如下圖3所示的二極體與寄生電容並聯的結構。

透過查詢SiC肖特基二極體IDW30G120C5B的手冊，寄生電容如表1所示。二極體兩端電壓為800V時，其寄生電容為111pF。考慮這個因素，並聯額外電容Ca，如圖4(a)所示。考慮Ca（none, 100pF, 200pF, 300pF）模擬不同寄生電容對開通的影響，其模擬結果如圖4(b)所示。

表1. IDW30G120C5B的寄生電容

表2. 不同的Ca下的模擬結果總結

根據圖4(b)以及資料總表2，可以看到越大的等效寄生電容Ca，會造成越大的開關管的電流尖峰。因此，在選擇SiC元件時，寄生電容是一個重要參數。