目前最廣泛使用的單級OBC拓樸由圖騰柱PFC+xLLC（或DAB）兩級組成，如圖1所示。其中圖騰柱PFC，它由一個高速半橋和一個工頻整流半橋組成，完成電網要求的功率因素校正功能及後級需要的DC電壓調整；DC/DC變換器一般由隔離變壓器及其原副邊的兩個全橋組成，完成PFC級輸出電壓和高壓電池電壓間的匹配。

前面提到，應用CoolSiC™混合單管元件，可以優化性價比。具體應用中，在圖騰柱PFC一級，如圖2a所示，針對快管（高速半橋）位置的裝置，RF5元件是理想的選擇。針對DC/DC原副邊功率元件選擇，如圖2b所示，RF5都是適當的選擇，這裡是雙向DC/DC變換器範例。這些位置要求功率二極體快恢復，功率元件開關能量要求低，以達到系統安全可靠高效運作。後文會展開介紹元件主要特性，尤其開關特性，來說明Hybrid元件是這種拓樸中功率元件的合適選擇。

650V CoolSiC™ Hybrid混合分離式元件是兩種公認的一流半導體技術組合：TRENCHSETOP™ 5 IGBT和CoolSiC™肖特基二極體G6。與矽續流二極體的傳統雙封裝產品相比，這種組合顯著降低了開關損耗，並且即插即用，可取代傳統的TRENCHSETOP™ 5 IGBT。共封裝二極體的標稱電流通常相對於IGBT進行規定，全額定二極體的額定電流與IGBT相似，半額定二極體的電流約為其50%。名稱中字母“R”表示半額定電流碳化矽肖特基勢壘二極體。

目前車規級Hybrid產品組合有兩款產品，AIKW50N65RF5和 AIKBE50N65RF5，分別是TO247-3和TO263-7兩種不同封裝形式的產品。兩者電氣特性差異主要體現在二極體電流和熱阻值，如圖3所示。 IGBT F5具有非常低的開關損耗Eon和Eoff；SiC/SBD G6幾乎沒有反向恢復Erec，進一步減少了IGBT的Eon。 TO263封裝具有開爾文Source腳，接腳寄生電感進一步降低，進一步優化了開關損耗Esw，電磁EMI性能也更友善。

尤其特別的是，TO263封裝產品內部晶片和引線框架間的焊接採用了英飛凌特有的.XT焊接技術，優化了熱阻參數，這一重要參數後面會再展開說明。圖4總結了TO263封裝的AIKBE50N65RF5的主要特性。

PN接面二極體無法立即從導通狀態變成截止狀態。它們需要在過渡階段進行反向恢復：二極體的阻塞電壓上升提取了在導通期間積累在二極體晶片中的電子-電洞等離子體。這種提取的等離子體被稱為反向恢復電荷，並導致開關損耗。如圖5所示。顯然，反向恢復會導致IGBT和二極體的損耗。部分損耗可直接歸因於反向恢復電荷（Qrr∙Vbus），部分是由於電壓斜率的陡峭度降低。由於SiC SBD二極體在導通階段不會充滿電荷載子，因此它們不需要反向恢復，二極體恢復能量Erec完全消除。 SiC SBD 二極體比Si PN二極體反向恢復要快的多，與矽PN接合二極體相比，這大大降低了開關損耗。當關斷能量Eoff基本上不變時，開通能量Eon顯著降低。圖6模擬比較了不同二極體帶來的開通能量Eon影響，受益於SiC SBD二極體的使用，開通能量Eon降低了一半。

由開關能量的定義圖7可知，Eoff降低取決於運轉條件：負載電流越低，開關速度越高，損耗降低越顯著。圖8中提供的示例性模擬數據表明，使用AIKBE50N65RF5，即使將關斷能量（Eoff）減半也是可能的。實際應用中關斷能量Eoff受限於DC電壓，關斷電流，驅動電阻電容，寄生電感等參數影響。圖9所示仿真，比較了TO247-3和TO263-7元件的關斷Eoff，可見貼片元件的關斷損耗優於插件封裝元件。

由以上對比可知，Hybrid貼片封裝裝置Eoff優於插件封裝元件，實際上即使對比最先進的SiC MOSFET™和CoolMOS™，Hybrid的Eoff性能也毫不遜色。圖10比較了不同技術元件的Eoff, 可見Hybrid Eoff和CoolMOS™可比，經過驅動最佳化後，Hybrid 關斷能量Eoff也可以大大縮小和SiC MOSFET的差距。

XT技術消除了透過標準焊接工藝所看到的典型限制。英飛凌率先採用擴散焊接工藝，透過封裝從晶片到散熱器建立了非常良好的熱連接。與CoolSiC™結合，這可以透過將晶片的散熱能力提高30%或將工作溫度降低15K，將晶片的結殼熱阻優化25%。還可以實現更高的電流輸出和更低的工作溫度，這不僅提高了系統輸出電流能力，還延長了裝置的壽命。 AIKBE50N65RF5使用了這項獨特擴散焊接工藝，改善了裝置的熱阻，提高了裝置的性能、可靠性和壽命。下圖11比較了擴散焊接和傳統軟焊接工藝及其帶來的熱則性能的提升。