
高壓(HV)氮化鎵(GaN)電晶體的快速開關能力為PCB的佈局帶來了挑戰。本文通過解釋幾個重要概念,幫助用戶了解PCB的佈局挑戰,也將探討幫助用戶優化佈局、實現最佳的整體電氣性能和熱性能的策略。
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自從40多年前,第一款開關電源問世以來,PCB的佈局就一直是電力電子設計中不可或缺的一環。無論採用哪種電晶體技術,我們必須瞭解並管理PCB佈局所產生的寄生阻抗,確保電路正確、可靠地運行,而且不會造成不必要的電磁干擾(EMI)。
儘管現代的寬能隙功率半導體不像早期的矽技術那樣,存在嚴重的反向恢復問題,但其較快的開關轉換,會導致其換向dv/dt和di/dt比前代矽技術更加極端。應用說明對PCB佈局提供的建議通常是“盡量減少寄生電感”,但實現這一點的最佳方法並不總是清晰明確。此外,並非所有導電路徑都需要有盡可能低的電感:例如,與電感器的互連——顯然該路徑中已經存在電感。
當然,盡可能降低所有互連電感,並同時消除PCB上的所有節點到節點的電容是不可能的。因此,成功的PCB佈局的關鍵在於,理解在開關電子元件中,哪些地方的阻抗是真正重要的,以及如何減輕這種不可避免的阻抗帶來的不良後果。
另一個複雜因素是,PCB佈局不僅涉及電氣互連的優化,通常還需要熱路徑,後者與電氣優化的目標相衝突。即使是像散熱片這樣的機械結構,在應用於PCB並僅用薄薄的熱界面材料(TIM)隔開時,也會表現得像PCB組件的附加電氣平面,並與電路的開關節點相互作用。